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2015 年度 実施状況報告書

高効率エネルギー源開発に向けた低仕事関数表面の創成

研究課題

研究課題/領域番号 15K21048
研究機関静岡大学

研究代表者

増澤 智昭  静岡大学, 情報学部, 助教 (40570289)

研究期間 (年度) 2015-04-01 – 2017-03-31
キーワードダイヤモンド / 低仕事関数 / 表面 / 電子放出 / PETE / TEC / 真空デバイス / 発電素子
研究実績の概要

本研究は,真空エレクトロニクスを利用した高効率発電デバイスの開発を目指し,コレクターに低仕事関数の表面を形成することで,高効率発電技術の実現を目指すものである。
平成 27 年度には,高効率発電技術への応用を目指し,ダイヤモンドの不純物と表面終端元素による仕事関数制御の実証に取り組んだ。先行研究では,リンを不純物として添加したダイヤモンドの水素終端表面について,熱電子放出に基づく仕事関数測定が行われ,0.9 eVという非常に小さい仕事関数が報告されていた。
本研究では,光電子分光法と電界放出電子分光法を組み合わせた測定を行い,リン添加ダイヤモンドのバンド構造を詳しく調べた。その結果,ダイヤモンド内部に上向き1.45 eVのバンドベンディングが存在すること,水素終端表面の電子親和力が -1.38 eVと負の値をとることがわかった。PETE発電デバイスの動作を考えると,エミッターから放出された電子が1.38 eVの電位障壁を乗り越えてダイヤモンド内部に注入されることを意味する。これをPETEの動作原理から考えると,数値上の仕事関数が小さいことよりも,表面終端とダイヤモンド内部でのバンドベンディングの抑制が発電効率向上につながる可能性を示し,発電デバイスの効率向上のために新しいアプローチの可能性を示す結果といえる。
また,炭素表面以外の低仕事関数表面として,ヒ化ガリウム(GaAs)表面をセシウムと酸素で処理することにより,負の電子親和力を持つ表面を形成し,光電子放出特性から仕事関数を評価した。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

3: やや遅れている

理由

当初の予定では,基板上への炭素表面形成手法として,CVD法とナノカーボン形成法の2通りの実験を平成27年度中に完了予定であった。研究代表者の所属変更に伴い,新しい任地に実験装置を設置・運用する必要があったが,可燃性高圧ガスの使用等の理由で設置場所の整備に予想外の時間を要した。このため,当初は平成28年度に集中的に実施する予定であった,発電デバイスのための仕事関数制御を先行して実施することとした。
進捗の回復のため,外部の専門家に協力を依頼し,炭素表面形成のための実験条件等について助言を得ながら進めることとした。今後は助言を活用しつつ炭素表面形成法の確立に努め,進捗を回復する見通しである。

今後の研究の推進方策

平成28年度は,PETE発電デバイスに向けたコレクター表面形成法の確立を目指す。初年度に得られた知見により,従来提案されていたリン添加ダイヤモンド水素終端表面ではダイヤモンド内部に大きなバンドベンディングが存在することがわかった。このバンドベンディングは,ダイヤモンドの不純物準位と表面の終端元素によって大きく変化することが示唆されている。表面終端元素を変えることで,PETE発電デバイスに必要な低仕事関数表面の形成を目指す。
また,装置の導入が遅れていた炭素表面形成についても早急に研究を進め,基材の伝導タイプやバンドギャップの相性から,コレクターとして最適な基材/表面の組み合わせを決定する。

次年度使用額が生じた理由

研究代表者の所属変更に伴い,当初導入予定であったCVD装置の受け入れ準備に予想外の時間を要したため。

次年度使用額の使用計画

装置受け入れに必要な工事は平成27年度に完了し,現在は装置を導入済みである。平成27年度中に実施予定であった装置の追加部品については,導入が平成28年度になるものの,同年度内に導入・整備が完了する見込みである。

  • 研究成果

    (10件)

すべて 2016 2015

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件) 学会発表 (9件) (うち国際学会 5件)

  • [雑誌論文] Electron emission from conduction band of heavily phosphorus doped diamond negative electron affinity surface2016

    • 著者名/発表者名
      Takatoshi Yamada, Tomoaki Masuzawa, Hidenori Mimura and Ken Okano
    • 雑誌名

      Journal of Physics D: Applied Physics

      巻: 49 ページ: 045102-1-5

    • DOI

      doi:10.1088/0022-3727/49/4/045102

    • 査読あり
  • [学会発表] GaAs負性電子親和力カソードの応答速度について2016

    • 著者名/発表者名
      光野圭悟, 増澤智昭, 畑中義式, 根尾陽一郎, 三村秀典
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学大岡山キャンパス,東京都目黒区
    • 年月日
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [学会発表] Surface activation of GaAs photocathode and its photoemission characteristics2015

    • 著者名/発表者名
      T. Masuzawa, K. Mitsuno, Y. Hatanaka, Y. Neo and H. Mimura
    • 学会等名
      The 22nd International Display Workshop
    • 発表場所
      Lake Biwa Otsu Prince Hotel,Otsu,Japan
    • 年月日
      2015-12-09 – 2015-12-11
    • 国際学会
  • [学会発表] GaAsフォトカソードの表面活性過程と分光感度特性2015

    • 著者名/発表者名
      増澤智昭, 光野圭悟, 畑中義式, 根尾陽一郎, 三村秀典
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      名城大学名駅サテライト,愛知県名古屋市
    • 年月日
      2015-10-22 – 2015-10-23
  • [学会発表] 高濃度窒素添加ダイヤモンドを用いた電子源の試作 ~ 鋳型成長を用いた電極一体・平板型エミッターの製作 ~2015

    • 著者名/発表者名
      胡谷大志, 増澤智昭, 山田貴壽, 落合潤, 斎藤市太郎, 岡野健
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      名城大学名駅サテライト,愛知県名古屋市
    • 年月日
      2015-10-22 – 2015-10-23
  • [学会発表] GaAs負性電子親和力カソードの活性化過程における放出電子エネルギー分布2015

    • 著者名/発表者名
      光野圭悟, 増澤智昭, 畑中義式, 根尾陽一郎, 三村秀典
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場,愛知県名古屋市
    • 年月日
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [学会発表] Development of arrayed diamond emitter for photo imaging application2015

    • 著者名/発表者名
      T. Masuzawa, T. Ebisudani, A. Ohata, J. Ochiai, I. Saito, T. Yamada, H. Wang, T. Loh, D. Chua, H. Mimura and K. Okano
    • 学会等名
      28th International Vacuum Nanoelectronics Conference
    • 発表場所
      Sun Yat-sen University,Guangzhou,China
    • 年月日
      2015-07-13 – 2015-07-17
    • 国際学会
  • [学会発表] Characterization of graphite field emitter inflamed at high temperature2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Neo, T. Masuzawa, Y. Iwai, A. Jozuka, T. Nakamura, T. Aoki, H. Mimura
    • 学会等名
      28th International Vacuum Nanoelectronics Conference
    • 発表場所
      Sun Yat-sen University,Guangzhou,China
    • 年月日
      2015-07-13 – 2015-07-17
    • 国際学会
  • [学会発表] Activation process of GaAs NEA Photocathode and its spectral sensitivity2015

    • 著者名/発表者名
      K. Mitsuno, T. Masuzawa, Y. Hatanaka, Y. Neo and H. Mimura
    • 学会等名
      28th International Vacuum Nanoelectronics Conference
    • 発表場所
      Sun Yat-sen University,Guangzhou,China
    • 年月日
      2015-07-13 – 2015-07-17
    • 国際学会
  • [学会発表] Work function modulations of h-BN using graphene for field emitters2015

    • 著者名/発表者名
      T.Yamada, M. Hasegawa, T.Masuzawa, Y.Neo, H.Mimura, T.Ebisudani, K. Okano and T. Taniguchi
    • 学会等名
      9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons
    • 発表場所
      Shizuoka Convention & Arts Center,Shizuoka,Japan
    • 年月日
      2015-05-24 – 2015-05-28
    • 国際学会

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公開日: 2017-01-06  

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