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本研究では、廃プラスチックやポリスチレン等を原料にし、大気圧・減圧CVD法による大粒径グラフェンの合成について研究をした。アニール処理により銅箔の酸化物層を作製し、大粒径グラフェンの成長について実験をした。アルゴンと水素のアニーリングにより核形成を制御でき、ポリスチレンを原料としたCVD法により大粒径グラフェンの合成に成功した。また、廃プラスチックを原料とし、1.6mm大粒径グラフェンが形成された。さらに、本CVD法により、合成されたグラフェン膜で透明電極を作製し、透過率90%でシート抵抗120Ω/Sqが達成された。
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