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本研究では，強磁性金属Fe3Si/半導体FeSi2人工格子を創製し，局所2端子型および非局所4端子型スピンバルブ効果を利用して，強磁性金属Fe3Siから半導体FeSi2への電気的スピン注入に取り組んだ．その結果，局所2端子型スピンバルブ素子では，強磁性金属Fe3Si層から半導体FeSi2層へとスピン偏極電流を生成することに成功した．また，このスピン偏極電流による半導体FeSi2中でのスピン拡散長(輸送長)が，100nm以上期待できることを実証した．さらに，非局所4端子型スピンバルブ素子では，強磁性金属Fe3Si層から半導体FeSi2層へと純スピン流を生成することに成功した．
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