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深紫外AlGaN発光ダイオードは短波長化する上で、Al組成が高いAlGaNを必要とするが、低抵抗のオーミック電極を得ることが困難である。そこで、アニール処理によってN脱離しやすいN極性面を利用する3次元形状の形成技術の構築を行う。高密度パターンの形成のために、電子線リソグラフィの検討を行った。ハーフピッチ 50nmのラインアンドスペースパターンを形成する方法について調べた。ドーズ量と電子線露光領域幅とパターンサイズの関係は2変数2次関数がよく合う結果となった。近接効果補正の条件を実験結果から得られたフィッティングパラメータから推定できることが分かった。
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