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2004 年度 実績報告書

希土類元素添加半導体の新展開:秩序制御による新しいスピン物性の発現

研究課題

研究課題/領域番号 16031211
研究機関大阪大学

研究代表者

藤原 康文  大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (10181421)

研究分担者 斗内 政吉  大阪大学, レーザーエネルギー学研究センター, 教授 (40207593)
白井 光雲  大阪大学, 産業科学研究科, 助教授 (60178647)
太田 仁  神戸大学, 分子フォトサイエンス研究センター, 教授 (70194173)
藤村 紀文  大阪府立大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50199361)
大渕 博宣  名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助手 (40312996)
キーワード希土類元素添加半導体 / 半導体スピントロニクス / エルビウム / 有機金属気相エピタキシャル法
研究概要

本研究では、「デバイスの性能向上をめざした半導体スピントロニクス材料の追究」という観点から「希土類元素添加半導体」を新しい希薄磁性半導体として捕らえ、希土類元素に起因するスピン物性を解明/制御することにターゲットを定める。具体的には、『原子レベルでの結晶成長・不純物添加技術(有機金属気相エピタキシャル(OMVPE)法)』、『ミクロ構造の直接的評価技術(シンクロトロン放射光を用いた蛍光EXAFS法やX線CTR散乱法)』、『各種スピン物性の評価技術(PL法、ESR法、SQUID法)』の有機的結合を基盤として、[1]Er添加GaAsに発現する新奇なスピン物性を、局在スピンを構成する4f電子と遍歴キャリアとの交換相互作用という観点から解明すること、[2]また、その知見を基にして、GaAs中にErを原子のレベルで精密配置したり、不純物添加や外部刺激を用いて遍歴キャリアの種類と量を操作することにより、交換相互作用を人為的に設計・制御し、新しいスピン物性を効果的に発現させること、を目指す。
今年度は、抵抗異常が生じる30K近傍以下の温度領域で、わずかに正の磁化挙動が発現するEr,Zn,O共添加GaAsに着目し、そのスピン物性を系統的に調べた。その結果、(1)Zn添加量の増大とともにEr発光強度が減少すること、(2)Erに起因する電子スピン共鳴(ESR)信号が観測されること、(3)ESR信号が観測される磁場位置は温度に依存しないものの、その信号強度は8K近傍で最大値を示し、それより低温域で急激に減少することを明らかにした。

  • 研究成果

    (6件)

すべて 2005 2004

すべて 雑誌論文 (6件)

  • [雑誌論文] Pump and probe reflection study on photoexcited carrier dynamics in Er, O-codoped GaAs2005

    • 著者名/発表者名
      Y.FUJIWARA
    • 雑誌名

      Proceedings of the 27th International Conference on Physics of Semiconductors (印刷中)

  • [雑誌論文] Terahertz radiation from Er, O-codoped GaAs surface2005

    • 著者名/発表者名
      M.SUZUKI
    • 雑誌名

      Proceedings of the 27th International Conference on Physics of Semiconductors (印刷中)

  • [雑誌論文] ESR study of Zn codoping effect on the luminescence efficiency of the Er-20 center in GaAs: Er, O2005

    • 著者名/発表者名
      M.YOSHIDA
    • 雑誌名

      Proceedings of the 27th International Conference on Physics of Semiconductors (印刷中)

  • [雑誌論文] Electron spin resonance study of Zn-codoping effect on local structure of the Er-related centers in GaAs: Er, O2005

    • 著者名/発表者名
      M.YOSHIDA
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 97(2)

      ページ: 023909-1-023909-4

  • [雑誌論文] Electron spin resonance study of GaAs; Er, O grown by organometallic vapor phase epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      M.YOSHIDA
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 96(8)

      ページ: 4189-419

  • [雑誌論文] Effects of growth sequence on atomic level interfacial structures and characteristics of GaInP/GaAs/GaInP double heterostructures grown by low-pressure OMVPE2004

    • 著者名/発表者名
      T.YOSHIKANE
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 237

      ページ: 246-250

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公開日: 2006-07-12   更新日: 2016-04-21  

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