| 研究概要 |
スピン軌道相互作用と交換相互作用を組み合わせると磁化から発生したスピン流を電流に変換するという逆スピンホール効果が可能である. これにより磁場をかけるだけで電圧を全くかけずに電流が取り出せることになる. この効果を金属系のスピン軌道相互作用の場合に解析した.
スプリットゲートの中央に単一アンチドットを配した試料を作成し, 量子ホール領域でのAB振動を詳細に測定した. アンチドット系のAB振動振幅の温度依存性から, エッジ状態の自己無撞着ポテンシャルを与えている遮蔽効果の温度依存性を明らかにした。また, υ=2の近傍におけるスピン分離エッジ状態への共鳴トンネル現象がυ=2の低磁場側と高磁場側で顕著に異なることを見出した.
ありふれた半導体であるシリコンが, 空間電荷効果によって巨大磁気抵抗効果を発現するメカニズムを解明した. シリコンにおける巨大磁気抵抗効果という新現象自体は, 2年前に当グループによって発見されていたが, 今回, シリコンのキャリア密度制御を行う実験によって, その現象がシリコンそのものの性質に由来することを明らかにした.
多層グラファイトが負の層間磁気抵抗を示すことを実験的に観測し, 強磁場領域の振舞をH点付近の正孔が磁場中で3次元Diracフェルミオン的に振舞う事実から説明した. また有機導体a-(BEDT-TTF)2NH4Hg(SCN)2の強電場下層間磁気抵抗の実験を行い, バルク結晶で初めて磁場方位に依存するStarkサイクロトロン共鳴を観測した.
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