| 研究概要 |
n型チタン酸化物基板とp型遷移金属薄膜からなるpnヘテロ接合において、紫外光照射により起こる光キャリア注入(photocarrier injection : PCI)について研究を行った。例えば、ルチル型酸化物VO_2薄膜をNbドープしたTiO_2基板上に作製した系、ペロブスカイト型マンガン酸化物(La,Sr)MnO_3と銅酸化物超伝導体YBa_2Cu_3O_xをNbドープしたSrTiO_3基板上に作製した系において光キャリア注入を行った。さらにこの手法をn型の超伝導体(Sr,Nd)CuO_2に適用したところ、若干ではあるがT_cの減少が見られた。光照射により、正孔が膜へ注入された結果であると思われる。YBa_2Cu_3O_xへの注入キャリア密度を増加させるために、YBa_2Cu_3O_x極薄膜(数ユニットセル)への光キャリア注入に取り組んだ。
光照射により膜に注入されたキャリアの大半は界面から若干離れたところに存在する。よって、YBa_2Cu_3O_x極薄膜へ効率よくキャリア注入をするためには、YBCO膜と基板との間にバッファー層を挿入する必要があると考えられるため、PrBa_2Cu_3O_x(PBCO)/YBCO/PrBa_2Cu_3O_x多層膜を作製した。残念ながら現時点では光キャリア注入よる明確なT_cの変化は観測されていない。さらに良質の膜や界面が必要と思われる。
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