| 研究概要 |
本年度は,以下の3つの項目について検討を行った.
(1)強還元CeO2薄膜/Pt電極をRFスパッタ法ならびにPLD法により作製し,その電気化学的測定を行い,丹司らの見いだした電極付近の局所的な分極による変調について検討した.直流のI-V特性には非対称な非線形性が強くあらわれ,反ショットキー型の整流性が現れた.交流インピーダンスによる解析を行い,Cu2Sについて提案した印加した電圧に従って生じたイオン欠陥の濃度変調に伴う電子キャリア変調(NICM機構)によメカニズムが適用できることを明らかにした.I-V特性は,雰囲気に強く依存し,強還元では,Poole-Frenkel機構によるキャリア注入機構が関与していることを確認した.また,PFの電子分光測定によるNd-CeO2単結晶の表面準位に関する測定結果の解析を進めた.
(2)プロトンーホールの混合伝導体であるBaPrl-xYbxO3系の電子構造を軟X線分光法ならびにRaman散乱分光法により測定した.この結果自己イオン化反応:〈Pr4+-02-〉→〈Pr3+-0-〉によるPr3+生成と生成した電子-ホールペアの強い相互作用による特異な電子構造が明らかになった.また,表面とバルクの電子状態を比較して,このように強相関を有する系のバルクと表面準位の関係を検討した.
(3)金属ナノ粒子分散酸化物系では,クエン酸法ならびに共沈法によりGdをドープしたCeO2系に適用してPtナノ粒子を分散させた複合体を合成し,酸化還元反応によるナノ白金の生成反応がバルクへ行こうと大きく異なるととを見いだすとともに,導電性におけるナノコンポジット複合体のヘテロ界面効果について検討した.
|
