| 研究課題/領域番号 |
16106006
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| 研究機関 | 静岡大学 |
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研究代表者 |
田部 道晴 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (80262799)
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| 研究分担者 |
池田 浩也 静岡大学, 電子工学研究所, 助教授 (00262882)
ラトノ ヌルヤディ 静岡大学, 創造科学技術大学院, 助手 (70402245)
小野 行徳 NTT, 物性科学基礎研究所, 主任研究員 (80374073)
雨宮 好人 北海道大学, 工学研究科, 教授 (80250489)
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| キーワード | シリコン / 単電子デバイス / マルチドット |
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| 研究概要 |
本研究は、2次元SiマルチドットFETを作製し、光照射と高周波ゲートを組み合せることによって単電子輸送を時間的、空間的に制御し、新しい信号処理機能を開拓していくことを目的とする。
18年度の主たる成果は以下のとおりである。
(1)多重トンネル接合系における単電子転送
Pを高濃度にドーピングしたSiナノワイヤFETにおいて単電子特性が得られ、かつ高周波ゲート印加時に高周波1サイクル毎に1電子の転送が生じることを見出した。シミュレーションにおいても、不均一な多重接合系で広いパラメータ範囲で単電子転送が可能であることが判明した。(H19年6月国際会議にて発表予定)
(2)単電子FETへの光照射効果
単電子(単正孔)特性の変化が単一フォトンの吸収によって引き起こされることを既に見出しているが、量子効率を改善するため下地Si基板をpエピ層/p^+の基板に変えて、まず暗状態での特性を評価した。その結果、p型ドーパントであるB原子1個ずつの電界イオン化を検出することに成功した。(H19年6月国際会議にて発表予定)
(3)バイクリスタルFET:転位網ピッチや膜厚などのパラメータを変えて試作を行い、評価した結果、転位網起因のポテンシャルの効果に加えてS/D領域からPが拡散している効果が大きいことが判った。より小さいFETを作製することにより転位網の効果を明確化する予定である。
(4)極低温KFM : Si/Si0_2パタンの電位観察を極低温で行い、Bのフリーズアウトによると思われるデータを得た。さらに詳細に検討していく。
(5)反応拡散系のシミュレーション:フォトン入射位置検出を目的とした単電子2次元回路のシミュレーションを行った。さらに解析を深めて論文化する。
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