| 研究分担者 |
摂待 力生 大阪大学, 大学院・理学研究科, 准教授 (00251041)
杉山 清寛 大阪大学, 大学院・理学研究科, 准教授 (00187676)
竹内 徹也 大阪大学, 低温センター, 助教 (90260629)
芳賀 芳範 日本原子力研究開発機構, 先端基礎研究センター, 主任研究員 (90354901)
山本 悦嗣 日本原子力研究開発機構, 先端基礎研究センター, 研究副主幹 (50343934)
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| 研究概要 |
希土類化合物に関して約50種類、ウラン・超ウラン化合物に関して約20種類の単結晶を育成し、フェルミ面の性質、磁性及び超伝導に関して興味ある物質を開発した。
1.ネール点がゼロになる量子臨界点で、電子状態がどう変貌するのかを、圧力下ドハース・ファンアルフェン効果により反強磁性体のCeRhln_5とCeIn_3で研究を行った、CeRhln_5では臨界圧P_c=2.35GPaで電子状態が4f電子局圧系から4f電子遍歴系へと1次の相転移を起こしていることを実験的に明らかにした。
2.4種類の化合物(CeNiGe_3, Ce_2Ni_3Ga_5,CelrSi_3,UIr)で圧力誘起超伝導を発見した。特にCelrSi_3とUIrは結晶に反転対称性がなく、興味ある超伝導現象を発見した。すなわち、反強磁性体CeIrSi_3に圧力を加えると、圧力の増大とともに約2GPaで、ネール点T_N→0となり、それとともに超伝導が出現する。H//[001]方向での上部臨界磁場は約40Tであり、スピントリプレット超伝導が発現している可能性が大である。新しいタイプの超伝導を予想させる。
3.ネプツニウム化合物NpPd_5Al_2で初めて超伝導(T_<sc>=5K)を発見した。超ウランのネプツニウム化合物(NpGe_3など)及びプルトニウム化合物(PuIn_3)で世界初のドハース・ファンアルフェン効果の検出に成功し、バンド理論とつき合わせたところ5f電子が遍歴していることが分かった。
なお、J. Phys. Soc. Jpnが導入したJPSJ注目論文に7編の論文が選ばれ、また、A Drastic Change of the Fermi Surface at a Critical Pressure in CeRhln_5: dHvA Study under Pressure, H. Shishido, R. Settai, H. Harima and Y. Onuki: J. Phys. Soc. Jpn. 74(2005)1103-1106.に対し、第13回日本物理学会論文賞が受賞された。
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