• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2005 年度 実績報告書

ナノポジショニングによるナノ・メガシステムの強度物性ゆらぎマップ測定システム

研究課題

研究課題/領域番号 16206013
研究機関東北大学

研究代表者

三浦 英生  東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (90361112)

研究分担者 高 偉  東北大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (70270816)
小川 和洋  東北大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (50312616)
笹川 和彦  弘前大学, 理工学部, 助教授 (50250676)
キーワード薄膜 / 強度物性 / ナノインデンテーション / ナノポジショニング / 半導体 / 信頼性
研究概要

本研究は,ナノテクノロジーを基盤技術として開発するナノ・メガシステムを対象とし,これらの信頼性を支配するナノメートルオーダーの材料強度物性のゆらぎ分布を,実構造サイズレベルで測定する技術を開発することを目的としている.
平成17年度は,ナノ・メガシステムの強度物性ゆらぎマップ測定システムの基本技術を完成させた.試験片のナノ領域(変位分解能:0.01nm)の強度物性を,隣接した多点間で連続して測定する計測システムを完成させた.ナノポジショニング技術を応用した試料移動ステージを使用し,さらに,ナノインデンテーション技術の高機能化を目的としてダイナミックコンタクトモジュール(荷重分解能:1nN)を導入した.この測定の空間分解能向上には,複数の角度センサを使用した高精度搬送システムを試作し,試料移動用ステージとして使用している.これにより,ナノスケールでの強度物性ゆらぎマップ測定を実現した.実際に半導体薄膜配線用銅めっき膜の強度物性が数100nm周期で数倍以上異なる分布を有し,バルク特性から大きく異なることを実証した.
さらに,材料表面の微細組織変化を観察できるマルチチャンネル分光器(検出器)を導入し,高温ガスタービン用Ni基超合金のナノメートル分散組織がクリープ損傷の進行に伴い大きく変化することをIn-situ観察する技術も開発し,強度物性分布の変化も実証した.
本測定システムにより,本研究の目標である数mmから数十cmの実構造物の表面において,ナノメートルオーダーの分解能(位置再現分解能:20nm)で測定対象領域を特定し,最小位置分解能100nm以下で材料表面の強度物性(弾性率,硬度,降伏応力,残留応力,界面接着強度等)のゆらぎ分布マップを,ナノインデンテーション技術を用いて最小変位分解能0.2pm,荷重分解能1nN単位で測定する技術を完成させた.

  • 研究成果

    (8件)

すべて 2005

すべて 雑誌論文 (6件) 図書 (1件) 産業財産権 (1件)

  • [雑誌論文] フリップチップ実装におけるSiチップ内の局所残留応力評価2005

    • 著者名/発表者名
      上田 啓貴, 三浦 英生
    • 雑誌名

      電子情報通信学会論文誌 Vol.J88-C, No.11

      ページ: 859-865

  • [雑誌論文] Local Thermal Deformation and Residual Stress of a Thin Si Chip Mounted on a Substrate Using An Area-Arrayed Flip Chip Structure2005

    • 著者名/発表者名
      Hideo Miura, Nobuki Ueta, Yuhki Sato
    • 雑誌名

      2005 International Symposium on Electronics Materials and Packaging

      ページ: 220-225

  • [雑誌論文] Verification of Prediction Method for Electromigration Failure Using Angled Polycrystalline Line2005

    • 著者名/発表者名
      S.Uno, M.Hasegawa, K.Sasagawa, M.Saka
    • 雑誌名

      Key Engineering Materials Vol.297-300

      ページ: 263-268

  • [雑誌論文] 高速工具サーボによる大面積正弦波微細格子基準面の高精度創成2005

    • 著者名/発表者名
      田野 誠, 高 偉, 荒木 武, 清野 慧
    • 雑誌名

      日本機械学会論文集(C) Vol.71,No.712

      ページ: 3602-3607

  • [雑誌論文] Characterization of oxide film formed on austenitic stainless steel by in-situ Micro Raman Spectroscopy2005

    • 著者名/発表者名
      A.Kai, Y.Terayama, K.Ogawa, T.Shoji
    • 雑誌名

      KEY ENGINEERING MATERIALS Vols.297-300

      ページ: 2806-2812

  • [雑誌論文] Molecular-Dynamics Study of Interfacial Diffusion between High-permittivity Gate Dielectrics and Germanium Substrates2005

    • 著者名/発表者名
      Tomio Iwasaki
    • 雑誌名

      Journal of Materials Research Vol.20,NO.5

      ページ: 1300-1307

  • [図書] 最新シリコンデバイスと結晶技術-先端LSIが要求するウェーハ技術の現状-2005

    • 著者名/発表者名
      三浦 英生, 他27名
    • 総ページ数
      330
    • 出版者
      REALIZE Science & Engineering
  • [産業財産権] Semiconductor Device and Process for Producing The Same2005

    • 発明者名
      N.Ishitsuka, H.Miura, S.Ikeda, et al.
    • 権利者名
      Renesas Technology Corp.
    • 産業財産権番号
      United State Patent, No.20050196935
    • 出願年月日
      2005-04-19
    • 取得年月日
      2005-09-08

URL: 

公開日: 2007-04-02   更新日: 2016-04-21  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi