| 研究課題/領域番号 |
16206015
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| 研究機関 | 東京農工大学 |
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研究代表者 |
古川 勇二 東京農工大学, 大学院技術経営研究科, 教授 (10087190)
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| 研究分担者 |
笹原 弘之 東京農工大学, 大学院共生科学技術研究院, 助教授 (00205882)
楊 明 首都大学東京, 大学院工学研究科, 教授 (90240142)
角田 陽 首都大学東京, システムデザイン学部, 助手 (60224359)
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| キーワード | SiC / 薄膜層 / サーフェスインテグリティー / ナノ構造 / エピタキシ / MEMS / インデンテーション / YAGレーザ |
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| 研究概要 |
(1)MEMS/NEMS機能表面に適用する上で配慮すべきナノサーフェスインテグリティーに関する実験的評価と体系化
・SiC薄膜層およびSiCナノ構造層の形成方法の体系化
分子供給方法として、SiはEBガン、クヌードセン炉、ヘリコンスパッターの3種、CはアセチレンガスおよびEBガンの2種の供給方法を実現し、いずれか2つの組み合わせでもSiCの結晶成長が可能であることを実証したが、単結晶性が整ったSiCを得るには、アセチレンガス供給とSiをEBガンで飛ばし、先ず900℃程度でSi単結晶基板に炭化層を成長させてSiとSiC間の格子間隔を整合させ、その上にSiC単結晶をエピタキシャル成長させることが最適であることを解明した。
・SiC薄膜層およびSiCナノ構造層の化学組成
XPSを用いた分析により、ほぼ50%:50%のSiC単結晶が薄膜として形成できたことを確認した。この基本的電気特性については解明したが、半導体特性については別に電子物性の資料が公開されているので、それらを参照している。
(2)最適条件検索データファイルの作成
・SiC薄膜層およびSiCナノ構造層のMEMS/NEMS機能表面への適用目的に応じて、サブストレートである単結晶Siの具備すべき要件、SiC薄膜層のエピタキシ成長条件、および創成される表面のインテグリティーについてデータ整理した。
(3)研究の総合と最終報告書の作成
平成16,17,18年度の研究成果を総合し最終報告書に取り纏めた。
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