• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2007 年度 実績報告書

シリコン中のドナーレベルを用いた単一電子操作

研究課題

研究課題/領域番号 16206038
研究機関日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

研究代表者

小野 行徳  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員 (80374073)

研究分担者 高橋 庸夫  北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 教授 (90374610)
猪川 洋  静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (50393757)
藤原 聡  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主幹研究員 (70393759)
西口 克彦  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 研究主任 (00393760)
キーワード電子デバイス・機器 / マイクロナノデバイス / 少数電子デバイス / 単一ドーパント / ドーパントエンジニアリング
研究概要

本研究は、シリコン中のドナー(あるいはアクセプター)レベルを利用した単一電子操作技術の確立を目的としている。19年度は、主に以下の成果があった。
1.微細MOSトランジスタにおける単一アクセプターおよび結合アクセプター対の同定 ボロンを極低濃度にドープした微細MO時トランジスタの特性を低温にて詳細に調べ、単一のボロンアクセプターおよび結合アクセプター対の検出に成功した。また、これらボロンの位置(界面からの深さ)について定性的にではあるが同定することに成功した(M. A. H. Khalafalla et. Al., Appl. Phys. Lett. 掲載)。また、ボロン濃度を変化させたときのMOSトランジスタの特性変化をマクロ系、ミクロ系について、系統的に調べた結果を報告した(Y. Ono et. Al., Appl. Surf. Sci. 掲載予定)。
2.リンドープシリコン細線における単一電子転送 シリコン中のリンドナーの作るランダムポテンシャルを利用することにより、単一電子転送が可能であることを実験的に実証した。(D. Moraru et. Al., Phys. Rev. B, 掲載)。
3.マンガンドープシリコンの強磁性 リンやボロンといった浅い準位を有するドーパントだけではなく、昨年度より深い準位を有する遷移金属ドーパントの検討も行っている。マンガンをシリコン中にイオン打ち込みし、その後に熱処理を行うことにより、強磁性が発現することを実験的に示したことを受け、今年度は、磁気特性を詳細に解析し、少なくとも二つの磁性物質が混在することを明らかにした(S. Yabuuchi et. al., Jpn. J. Appl. Phvs. 掲載予定)。

  • 研究成果

    (24件)

すべて 2008 2007

すべて 雑誌論文 (12件) (うち査読あり 12件) 学会発表 (12件)

  • [雑誌論文] Silicon single-charge transfer devices2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Takahashi, and H. Inokawa
    • 雑誌名

      J. Phys. Chem. Solids 69

      ページ: 702-707

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Pauli-spin-blockade transport through a silicon double quantum dot2008

    • 著者名/発表者名
      H. W. Liu, T. Fujisawa, Y. Ono, H. Inokawa, A. Fujiwara, K. Takashina, and Y. Hirayama
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B 77

      ページ: 073310_1-073310_4

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Stochastic data processing circuit based on single electrons using nano field-effect transistors2008

    • 著者名/発表者名
      K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 92

      ページ: 062105_1-062105_3

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Nanoampere charge pump by single-electron ratchet using silicon nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor2008

    • 著者名/発表者名
      A. Fujiwara, K. Nishiguchi, and Y. Ono
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 92

      ページ: 042102_1-042102_3

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Identification of single and coupled acceptors in silicon nano field-effect transistors2007

    • 著者名/発表者名
      M. A. H. Khalafalla, Y. Ono, K. Nishiguchi, and A. Fujiwara
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 91

      ページ: 263513_1-263513_3

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Quantized electron transfer through random multiple tunnel junctions in phosphorous-doped silicon nanowires2007

    • 著者名/発表者名
      D. Moraru, Y. Ono, H. Inokawa, H. Ikeda, and M. Tabe
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B 76

      ページ: 075332_1-075332_5

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Anomalous resistance ridges along filling factor v=4i2007

    • 著者名/発表者名
      K. Takashima, M. Brun, T. Ota, D. K. Maude, A. Fujiwara, Y. Ono, Y. Takahashi, and Y. Hirayama
    • 雑誌名

      Phys. Rev. Letts. 99

      ページ: 036803_1-036803_4

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Infrared detection with silicon nano field-effect transistor2007

    • 著者名/発表者名
      K. Nishiguch, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Yamaguchi, H. Inokawa, and Y. Takahashi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 90

      ページ: 223108_1-223108_3

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Transfer and detection of single electrons using metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors2007

    • 著者名/発表者名
      W. C. Zhang, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Yamaguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, and N. J. Wu
    • 雑誌名

      IEICE Trans. Electron. E-90C

      ページ: 943-948

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Low-Temperature Characteristics of Ambipolar SiO_2/Si/SiO_2 Hall-Bar Devices2007

    • 著者名/発表者名
      K. Takashina, B. Gaillaed, Y. Ono, and Y. Hirayama
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 2596-2598

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effect of UV/Ozone Treatment on Nanogap Electrodes for Molecular Devices2007

    • 著者名/発表者名
      T. Goto, H. Inokawa, M. Nagase, Y. Ono, K. Sumitomo, and K. Torimitsu
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 1731-1733

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Impact of space-energy correlation on variable-range hopping in transistors2007

    • 著者名/発表者名
      J.-F. Morizur, Y. Ono, H. Kageshima, H. Inokawa, and H. Yamaguchi
    • 雑誌名

      Phys. Rev. Letts. 98

      ページ: 166601_1-166601_4

    • 査読あり
  • [学会発表] Charge transport in boron-doped nano MOSFETs : Towards single-dopant electronics2007

    • 著者名/発表者名
      Y. One, M. Khalafalla, K. Nishiguchi, K. Takashina, and A. Fujiwara
    • 学会等名
      Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      20071112-14
  • [学会発表] New functional single-electron devices using nanodot array and multiple input gates2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Takahashi, T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, and H. Inokawa
    • 学会等名
      3rd International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      20071108-09
  • [学会発表] A simple test structure for extracting capacitances in nanometer-scale MOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      H. Inokawa, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Ono, and H. Satoh
    • 学会等名
      The 6-th annual International Conference on Global Research and Education
    • 発表場所
      Inter-Academia, Hamamatsu
    • 年月日
      20070925-28
  • [学会発表] Nanoampere charge pumping by single-electron ratchet using Si nanowire MOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      A.Fujiwara
    • 学会等名
      2007 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 年月日
      20070918-21
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Identification of single and coupled acceptors in silicon nano field-effect transistors2007

    • 著者名/発表者名
      M.Khalafalla
    • 学会等名
      2007 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 年月日
      20070918-21
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Capacitive parameter extraction for nanometer-size field-effect transistors2007

    • 著者名/発表者名
      H.Inokawa
    • 学会等名
      2007 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 年月日
      20070918-21
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Single-electron ratchet using silicon nanowie MOSFET2007

    • 著者名/発表者名
      A. Fujiwara, K. Nishiguchi, and Y. Ono
    • 学会等名
      International Conference on Electronic Properties of Two-dimensional Systems and Modulated Semiconductor Structures
    • 発表場所
      Genova Magazzini del Cotone, Italy
    • 年月日
      20070705-20
  • [学会発表] Theoretical study on magnetic properties of manganese nanosilicide in silicon2007

    • 著者名/発表者名
      S. Yabuuchi
    • 学会等名
      17th International Vacuum Congress
    • 発表場所
      Stockholm, Sweden
    • 年月日
      20070702-06
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Effects of parameter randomness on quantized-electron transfer in 1D multiple-tunnel-junction arrays2007

    • 著者名/発表者名
      D.Moraru
    • 学会等名
      2007 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Kyoto
    • 年月日
      20070610-11
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Dopant-mediated charge transport in boron-doped nano MOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono
    • 学会等名
      2007 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Kyoto
    • 年月日
      20070610-11
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Magnetic properties of manganese nanosilicide in silicon2007

    • 著者名/発表者名
      S.Yabuuchi
    • 学会等名
      2007 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Kyoto
    • 年月日
      20070610-11
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Single-electron device using Si nanodot array and multi-input gates2007

    • 著者名/発表者名
      T.Kaizawa
    • 学会等名
      2007 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Kyoto
    • 年月日
      20070610-11
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より

URL: 

公開日: 2010-02-04   更新日: 2016-04-21  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi