| 研究概要 |
まず超高純度・超高結晶性ウイスカー合成のためのCVD装置を設計・試作し、高純度原料を用いてナノアーキテクチャーを作製した。次に走査型電子顕微鏡で試料を観察し、蛍光スペクトルを測定し、そのデータを基に発光解析をおこなった。受入試薬を精製し不純物金属を誘導プラズマ発光分光(ICP)法で定量した。数ppm以下に抑える。CVD装置を利用してY_2O_3,ZnO,HfO_2ナノアーキテクチャーを合成した。合成したナノアーキテクチャーを保証分解1.0nmのFE-SEMで観察した結果、Y_2O_3,HfO_2ウイスカーをZnOナノウイスカーレベルの美しい形態形成に仕上がったことがわかった。Y_2O_3:RE(RE:希土類)ウイスカーの発光サイト解析を行った結果、発光に適切な位置にRE原子が入ることで発光輝度が増大することがわかった。ZnOウイスカーでは、不純物が混入しない条件で380nmの紫外線発光が増大することがわかった。さらにHfO_2ウイスカーからはごく微量のZrが検出された。Zrの添加を積極的に行うことで、280nmの紫外線発光が得られることがわかった。ZrがHfO_2ウイスカーの発光中心を占めることがわかった。
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