| 研究課題/領域番号 |
16340109
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| 研究機関 | 青山学院大学 |
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研究代表者 |
古川 信夫 青山学院大学, 理工学部, 助教授 (00238669)
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| 研究分担者 |
求 幸年 独立行政法人理化学研究所, 古崎物性理論研究室, 研究員 (40323274)
久保 健 青山学院大学, 理工学部, 教授 (30015862)
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| キーワード | 強相関電子系 / 強相関エレクトロニクス / スピンエレクトロニクス |
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| 研究概要 |
界面における状態とバルクの状態の違いを明らかにする目的で、界面を有する二重交換系についての研究を行った。計算手段として、自由端などの様々な境界条件を課した二重交換模型に乱れの効果を入れて、モンテカルロ法によるシミュレーションを用いた。特に、界面近傍における電荷の局在・不均一性について詳しく調べた。これは、本科研費研究課題の対象の一つである「RRAM」とCER効果について、界面近傍におけるミクロドメインの帯電とモット絶縁体化がその起源であるとする見方が存在するため、これに対応するシミュレーションを通じてそこで見られた電荷の不均一化との関連を議論した。これらの結果を現在論文として投稿準備中である。
さらに、「RRAM」についての研究会を開催し、最新の成果報告および今後の課題についての議論を行った。この研究会では、「RRAM」の研究を行っている国内外の研究者(所属:大学、国立研究所、企業など)を招待し、それぞれの立場からの実験成果および理論計算の結果を発表することを通じて、この現象の本質に迫ることを目的とした。
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