• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2005 年度 実績報告書

輻射熱アクティブ補償エピタキシによる高品質II-VI半導体多元混晶の作製

研究課題

研究課題/領域番号 16360013
研究機関早稲田大学

研究代表者

小林 正和  早稲田大学, 理工学術院, 教授 (10241936)

研究分担者 堀越 佳治  早稲田大学, 理工学術院, 教授 (60287985)
宇高 勝之  早稲田大学, 理工学術院, 教授 (20277817)
宗田 孝之  早稲田大学, 理工学術院, 教授 (90171371)
キーワードZnCdMgS / 分子線エピタキシ / 紫外線センサ / ホモエピタキシャル基板 / 超格子 / PL / TEM
研究概要

本年は、従来までに開発を行ってきたZnCdS/MgCdS超格子やZnMgCdS混晶のほかにZnSe/MgCdS超格子の研究についても着手始めた。本超格子は、4元混晶やZnCdS/MgCdS超格子に比べて使用する原料の数が増えてしまうという問題点を抱えている。しかしながら、バンド構造がタイプIがたのものになるため、伝導体や価電子帯に明瞭な井戸を作製することが可能になってくる。そのため、量子準位が強調された素子になると期待される。他方、Se系材料はS系材料に比べて一般的に光に対する感度が低いため、光素子としては必ずしも高感度になるとは考えにくい。
これらの長所と短所を内在しているため、素子への応用に関しては慎重に検討する必要がある。
これまでに、分子線エピタキシー法により、標記材料の作製が可能なことを明らかにした。組成制御性や、電子状態の制御性については当初の期待していた結果が得られた。また、材料の光学的特性を低温フォトルミネッセンスにより測定したところ、バンド端に対応した信号が明瞭に得られた。そして、他の材料系に比べてほぼ遜色のない光学的特性を有する材料が作製されたことが明らかになった。紫外線センサとしての特性については今後検討していく予定である。

  • 研究成果

    (1件)

すべて 2006

すべて 雑誌論文 (1件)

  • [雑誌論文] MBE growth of ZnSe/MgCdS and ZnCdS/MgCdS superlattices for UV-A sensors2006

    • 著者名/発表者名
      J.Ueno, M.Kobayashi et al.
    • 雑誌名

      phys.stat.sol (c)3

      ページ: 1225-1228

URL: 

公開日: 2007-04-02   更新日: 2016-04-21  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi