| 研究概要 |
1:酸化膜中のリン拡散
今年度は,リン不純物の拡散を測定し,その挙動の解析を行った.昨年までの我々の研究から,チッ化保護膜がある試料を熱処理すると,SiO_2/Si界面からSiOが発生しSiO_2中に拡散してシリコン自己拡散やボロン不純物拡散を増速させることが明らかにされた.そこで同じような現象がリン不純物に対しても観測されるかを実験により調べた.その結果,リンの場合は表面と界面における偏析が拡散と同様に重要になることが明らかにされた.リンの拡散はSiOによって増速されているようではあるが,偏析による表面および界面への移動が支配的で,その実験結果を偏析係数をフィッティング変数として定量的に解析することを試みている.
2:酸化膜中の酸素自己拡散
次世代絶縁膜として期待されるhigh-k膜とSiの間には酸化膜または酸化チッ化膜が含まれる.この酸化膜・酸化チッ化膜のhigh-k膜に対する影響を明らかにするために,まずは極薄酸化膜における酸素の挙動を調べることにした.ここでは酸素の安定同位体^<18>Oを用いて,特にシリコン・酸化膜界面における化学反応の影響も含めて酸素の拡散を解析した.その結果,シリコン・酸化膜界面における余剰SiのSiO_2方向への放出を強く示唆する実験データが得られ,現在,定量的な解析を続けている.
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