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2005 年度 実績報告書

強磁性エピタキシャピル多重障壁構造の製作とスピン共鳴トンネルデバイスの基盤構築

研究課題

研究課題/領域番号 16360143
研究機関北海道大学

研究代表者

山本 眞史  北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 教授 (10322835)

研究分担者 植村 哲也  北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 助教授 (20344476)
松田 健一  北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 助手 (80360931)
キーワード強磁性トシネル接合 / エピタキシャル成長 / トンネル磁気抵抗 / ハーフメタル強磁性体 / MRAM / フルホイスラー合金薄膜
研究概要

本研究では、強磁性エピタキシャル多重障壁構造の製作技術を確立すると共に、スピン共鳴トンネルデバイスの基盤技術を構築することを目的とした。本研究では,強磁性電極材料として,ハーフメタル強磁性特性に由来する高いスピン偏極率が理論的に指摘され、かつ、キュリー温度が室温よりも十分に高い特徴を有するCo系フルホイスラー合金を検討対象とした。さらに,Co系ホイスラー合金とMgOとの間の格子ミスマッチが数%と比較的小さいことに着目し、MgO基板上へのMgOバッファ層を介したCo系ホイスラー合金薄膜のエピタキシャル成長を実現した。具体的には、CO_2(Cr_<0.6>Fe_<0.4>)Al(CCFA)とCO_2MnGe(CMG)のエピタキシャル薄膜を製作し、優れた表面平坦性(表面粗さのrms値が、約0.25nm程度)を実現した。また、飽和磁化の値が、理論的に予測される値の90%程度と磁気的特性にも優れることを示した。さらに、このホイスラー合金エピタキシャル薄膜の上への2nm程度のMgOバリア、さらに、その上への強磁性Co_<50>Fe_<50>薄膜のエピタキシャル成長を実現した。すなわち、Co系ホイスラー合金薄膜と、MgOバリアを用いた全層エピタキシャルの強磁性トンネル接合(MTJ)を実現した(in situでのRHEED観察および断面TEM観察により単結晶エピタキシャルMTJ構造を確認)。さらに、これらのエピタキシャル構造を用いてMTJを試作評価し、室温において、良好なトンネル磁気抵抗(TMR)特性が得られることを示した(CCFA-MTJに対して、室温で42%のTMR比)。以上、ハーフメタル強磁性体としてスピン偏極率が大きいと予想されるCo系ホイスラー合金薄膜を用いた強磁性エピタキシャル多重障壁構造の製作技術、および、スピン共鳴トンネルデバイスの基盤技術を構築した。

  • 研究成果

    (12件)

すべて 2006 2005

すべて 雑誌論文 (12件)

  • [雑誌論文] Epitaxial growth of Co_2Cr_<0.6>Fe_<0.4>Al Heusler alloy thin films on MgO (001) substrates by magnetron sputtering2006

    • 著者名/発表者名
      K.-i.Matsuda, T.Kasahara, T.Marukame, T.Uemura, M.Yamamoto
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth Vol.286

      ページ: 389-393

  • [雑誌論文] Fabrication of fully epitaxial magnetic tunnel junctions using cobalt-based full-Heusler alloy thin film and their tunnel magnetoresistance characteristics2006

    • 著者名/発表者名
      M.Yamamoto, T.Marukame, T.Ishikawa, K.-i.Matsuda, T.Uemura, M.Arita
    • 雑誌名

      J.Phys.D : Appl.Phys. Vol.39

      ページ: 824-833

  • [雑誌論文] Analysis of anisotropic tunnel magneto-resistance of (Ga, Mn)As/AlAs/(Ga, Mn)As magnetic tunnel junction2006

    • 著者名/発表者名
      T.Uemura, R.Miura, T.Yamazuki, T.Sone, K.-i.Matsuda, M.Yamamoto
    • 雑誌名

      Physica E Vol.31(未定)

  • [雑誌論文] Structural and magnetic properties of epitaxially grown full-Heusler alloy Co_2MnGe thin films deposited using magnetron sputtering2006

    • 著者名/発表者名
      T.Ishikawa, T.Marukame, K.Matsuda, T.Uemura, M.Arita, M.Yamamoto
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. Vol.99(未定)

  • [雑誌論文] Tunnel magnetoresistance in epitaxial magnetic tunnel junctions using full-Heusler alloy Co_2MnGe thin film and MgO tunnel barrier2006

    • 著者名/発表者名
      T.Marukame, T.Ishikawa, K.Matsuda, T.Uemura, M.Yamamoto
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. Vol.99(未定)

  • [雑誌論文] Fabrication of Fully Epitaxial Magnetic Tunnel Junctions Using Full-Heusler Alloy Co_2Cr_<0.6>Fe_<0.4>Al Thin Film and MgO Tunnel Barrier2005

    • 著者名/発表者名
      T.Marukame, T.Kasahara, K.Matsuda, T.Uemura, M.Yamamoto
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.44, No.17

      ページ: L521-L524

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Epitaxial Growth of Fe/MgO/Fe Heterostructures on SrTiO_3(001) Substrates by Magnetron Sputtering2005

    • 著者名/発表者名
      T.Marukame, K.Matsuda, T.Uemura, M.Yamamoto
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.44, No.8

      ページ: 6012-6015

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Magnetic and Electrical Properties of (La, Sr)MnO_3 Sputtered on SrTiO_3-buffered Si Substrate2005

    • 著者名/発表者名
      T.Uemura, K.Sekine, K.Matsuda, M.Yamamoto
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.44, No.4B

      ページ: 2604-2607

  • [雑誌論文] Four-Valued Magnetic Random Access Memory Based on Magneto Tunnel Jnnction and Resonant Tunneling Diode2005

    • 著者名/発表者名
      T.Uemura, M.Yamamoto
    • 雑誌名

      Journal of Multiple-Valued Logic and Soft Computing 11

      ページ: 467-479

  • [雑誌論文] マグネトロンスパッタ法によるホイスラー合金CO_2Cr_<0.6>Fe_<0.4>Al薄膜のエピタキシャル成長と磁気特性評価2005

    • 著者名/発表者名
      笠原貴志, 松田健一, 丸亀孝生, 植村哲也, 山本眞史
    • 雑誌名

      日本応用磁気学会誌 第29巻,9号

      ページ: 895-899

  • [雑誌論文] High Tunnel Magnetoresistance in Epitaxial Co_2Cr_<0.6>Fe_<0.4>Al/MgO/CoFe Tunnel Junctions2005

    • 著者名/発表者名
      T.Marukame, T.Kasahara, K.-i.Matsuda, T.Uemura, M.Yamamoto
    • 雑誌名

      IEEE Trans.on Magn. Vol.41, No.10

      ページ: 2603-2605

  • [雑誌論文] Magnetic Anisotropy Study for GaMnAs-based Magnetic Tunnel Junction2005

    • 著者名/発表者名
      T.Uemura, T.Sone, K.-I.Matsuda, M.Yamamoto
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appi.Phys. Vol.44, No.44

      ページ: L1352-L1354

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公開日: 2007-04-02   更新日: 2016-04-21  

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