研究課題
ギガビットクラスの電子デバイスは、年々縮小化は加速され、2008年には設計ルールが40nmである微細デバイスの実現を目指している。ここで、リソグラフィー技術におけるレジストパターンは、10〜20nmサイズの高分子集合体の凝集に起因するラインエッジラフネス(LER)および付着性の低下が問題となっている。本研究では、原子間力顕微鏡(AFM)を用いて、個々の高分子集合体間の相互作用力、および凝集形態の直接観察により、レジストパターン内の高分子集合体の凝集性を直接制御することを目的とする。これにより、加工精度の高く、かつ付着性の良好なレジスト材料の設計モデルを構築し、35nmサイズの微小レジストパターンの実現を目指す。研究の実施により、液体メニスカスとレジストパターン変形の関連について解析した。これにより、様々な集合体間の相互作用力を推定することが可能となった。次いで、AFM探針を用いて、レジストパターンを基板から剥離させて、現像プロセスを反映するために、溶液中での付着力を測定した。特に、設備導入した環境制御型電子顕微鏡(ESEM)を用いて、液滴の濡れ挙動を動的に解析することが可能となった。その結果、液体メニスカス形状と高分子集合体クラスのパターン変形との関連が明らかになった。H18年度には、ESEMを用いて、in-situ観察を行い、ラプラスカが35nmサイズのレジストパターン倒壊に及ぼす影響を明確にする。本研究期間には、原著論文6報、国際学会発表10件、国内学会発表5件の成果発表を行った。
すべて 2006 2005
すべて 雑誌論文 (6件)
Microelectronic Engineering (in press)
J.Photopolymer Sci.Technol, 18(3)
ページ: 349
J.Photopolymer Sci.Technol, 18(6)
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