| 研究課題/領域番号 |
16360176
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 研究機関 | 広島大学 |
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研究代表者 |
中島 安理 広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 助教授 (70304459)
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| 研究分担者 |
横山 新 広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 教授 (80144880)
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| キーワード | フローティングゲート / ナノドット / フラッシュメモリ / 原子層成長 / トンネルゲート絶縁膜 / 単一電子効果 / Si / 少数ドット |
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| 研究概要 |
(1)Si細線上にフローティングドットが複数直列に配列した素子を、電子線リソグラフィーとドライエッチング及びウェットエッチングを用いて作製した。チャネルに直交する方向に細線状のレジストパターンを複数個形成する事により、複数のフローティングドットをチャネル方向に直列に並べた構造を作製した。ドットの個数・サイズ・ドット間距離を系統的に変化させた素子について、現在電気伝導特性を調べている。フローティングドットがない場合には室温でドレイン電流-ドレイン電圧特性にはヒステリシスがない。それに対して、フローティングドットが一つ以上存在する場合には、いずれの素子も室温でヒステリシスを示した。以上から作製した素子は、室温でメモリ効果を示している事が判った。
(2)フローティングドットが複数個に平面上に配列した素子を、電子線リソグラフィーとドライエッチング及びウェットエッチングを用いて作製した。ドットの個数・サイズ・ドット間距離を系統的に変化させた素子について、現在電気伝導特性を調べている。この素子についても、フローティングドットがない場合には室温でドレイン電流-ドレイン電圧特性にはヒステリシスがない。それに対して、フローティングドットが存在する場合には、室温でヒステリシスを示した。以上からこの素子についても、室温でメモリ効果を示している事が判った。
(3)トンネル絶縁膜に原子層成長法により形成したSi窒化膜を用いた微細フラッシュメモリを作製中である。
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