| 研究課題/領域番号 |
16360182
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 日本大学 |
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研究代表者 |
伊藤 彰義 日本大学, 理工学部, 教授 (60059962)
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| 研究分担者 |
中川 活二 日本大学, 理工学部, 教授 (20221442)
大月 穣 日本大学, 理工学部, 助教授 (80233188)
塚本 新 日本大学, 理工学部, 講師 (30318365)
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| 研究期間 (年度) |
2004 – 2005
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| キーワード | 微小磁区安定化 / 自己配列極微小孔SiO_2薄膜 / FePt微粒子 / 複合膜 / 非線形磁気光学効果 / 光・磁気ハイブリッド記録 / 急速昇温結晶化法 / フェムト秒パルスレーザー |
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| 研究概要 |
光磁気記録では非晶質で連続な垂直磁化膜が利用され、記録雑音および安定性は磁気記録に比べ有利である。しかし極微小記録では磁壁収縮力が顕著となり不安定になる。この解決のため特に磁壁ピンニングサイトの増加が重要である。このため高い磁気異方性Kuを持つ微細結晶粒を下地とし積層した交換結合複合膜構造について検討した。主な研究成果は以下の通りである。
(1)自己配列極微小空孔SiO_2薄膜の作製とその下地利用のための加工
極微小界面凹凸構造による媒体磁壁抗磁力Hw増大に利用可能な下地として、トリブロック・コポリマーを利用し5nmおよび8nm径の多孔質シリコン下地用薄膜の作成および、その表面のドライエッチング法を確立した。さらに、エタノール希釈により、孔密度を変えず薄膜の厚さをほぼ溶液濃度に比例して薄膜化できることを明らかにした。
(2)非晶質下地上へのFePt、L1_0、垂直磁化、微小結晶粒膜作製
急速昇温結晶化法によりFePt薄膜の規則合金化、微粒子化を行うことで高Ku垂直磁化膜を得、さらにCu元素の添加が、微粒子の(001)優先配向度の増大に有効であることを明らかにした。
(3)FePt微小結晶粒/TbFeCo複合膜構造による微小磁区形成
上記極微小FePt粒上へTbFeCo層を積層し、複合膜構造とすることでHwが増大することを明らかにした。磁化過程およびその温度特性の評価より、磁性微粒子および非晶質層の交換結合が、Hw増大へ大きく寄与していることを明らかにした。
(4)非線形磁気光学効果測定装置による界面表面磁化過程評価
フェムト秒パルスレーザーを利用した、界面・表面に敏感な非線形磁気光学効果と通常の磁気光学効果の同時測定システムにより、TbFeCo薄膜の磁気ヒステリシスループの温度依存性の測定に成功。ループ形状の温度依存性に、界面・バルク磁化過程に明らかな相違が生じることを明らかにした。
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