| 研究課題/領域番号 |
16360351
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
構造・機能材料
|
|---|
| 研究機関 | (財)電気磁気材料研究所 |
|---|
研究代表者 |
大沼 繁弘 (財)電気磁気材料研究所, 薄膜材料グループ, 主任研究員 (50142633)
|
|---|
| 研究分担者 |
小林 伸聖 電気磁気材料研究所, 薄膜材料Gr, 研究員 (70205475)
山口 正洋 東北大学, 大学院工学研究科, 教授 (10174632)
小野 裕司 NEC, トーキン(株)ENCデバイス事業部, 主任
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2004 – 2006
|
| キーワード | 磁性薄膜 / 電磁波ノイズ抑制効果 / GHz帯域 / ナノグラニュラー構造 / 低温成膜 / 抵抗損失 / 磁気損失 / マイクロ磁気プローブ法 |
|---|
| 研究概要 |
1、GHz帯電磁波ノイズ抑制材料の検討
高周波帯域で優れた電磁波ノイズ材料を得るために、電気比抵抗の大きさの異なるナノグラニュラーCo-Al-0磁性膜を作製し、電気比抵抗と伝送特性との関係を検討した。その結果、GHz帯域では材料や磁気特性に関係なく、材料のシート抵抗(すなわち、抵抗損失)がノイズ抑制効果を大きく左右することを見出した。ただし、その大きさは駆動周波数とシート抵抗の大きさで一義的に決まってしまう。こ:の結果と従来申請者達が見出した、磁気損失に起因する抑制効果と組み合わせることにより、所望の電子デバイスの周波数に適した、電磁波ノイズ抑制効果を示す材料を提供できることとなった。
2、低温成膜方法の確立
より幅広い応用化のためには、成膜中の基板温度が100℃未満であることが望ましい。これを達成するために、成膜装置として対向ターゲット型スパッタ装置を用いて、成膜方法の検討を行った。基板の位置を検討した結果、含酸素反応性スパッタでも基板冷却無しでも基板温度を85℃以下に抑える成膜方法を見出した。その結果、従来困難だったPETなどの低耐熱性ポリマーや電子デバイスなどへの、ナノグラニュラー磁性膜の直接成膜が可能になった。
3、デバイスへの実装試験
2で確立した低温成膜法を用いて、ケースの頭部を外したLSI上にナノグラニュラー膜を成膜し、それをマイクロ磁気プローブ法により評価した。定量的な結果はまだであるが、成膜したLSIからのプローブ出力(ノイズの大きさ)は、全ての周波数帯域で成膜前の結果と比較して明瞭に減少することが観察され、研究目的を達成することが出来た。現在、測定条件や定量化を検討中である。
|
