研究課題
基盤研究(B)
成熟B細胞がメモリーB細胞へ分化する場が脾臓やリンパ節内の胚中心であることが明らかにされた。胚中心では、抗原刺激により活性化された成熟B細胞がそのIg遺伝子において高率に体細胞突然変異をおこして、抗原親和性がより高いB細胞クローンが選択的に増殖し、かつIg遺伝子のクラススイッチを起こして、IgG抗体を持つメモリーB細胞へと分化する。最近我々は、刺激前のBcl6欠損B細胞でIg遺伝子のスイッチ領域に体細胞突然変異が高頻度に見られ、IgG1ヘクラススイッチを誘導することにより、その頻度が倍加することを見出した。さらに、その体細胞突然変異では、Adenine(A)からGuanine(G)への変異が多く見られた。そこで、Ig遺伝子のV領域やスイッチ領域などにおける体細胞突然変異の導入制御におけるBcl6ファミリーの機能をその標的遺伝子を含めた分子のレベルで解析した。その結果、ADAR1がBcl6の標的遺伝子であり、Bcl6欠損マウスの各臓器において、ADAR1の発現が増強していたことやBcl6欠損マウスの細胞へのADAR1の過剰発現により、Ig遺伝子のスイッチ領域にAからGへの変異が誘導された。またすでに、ヒトの胚中心B細胞においてIg遺伝子以外の遺伝子(c-Myc遺伝子など)においても体細胞突然変異が起きることが明らかにされているので、Bcl6欠損B細胞においてc-Myc遺伝子の体細胞突然変異を解析したところ、その頻度が正常B細胞と比較して著しく高くなっていることも見出した。さらに、Bcl6欠損マウスの細胞へのADAR1の過剰発現により、c-Myc領域での体細胞突然変異の塩基配列を解析したところAからGへの変異頻度が異常に上昇していた。これらの結果から、Bcl6は胚中心においてADAR1の発現を抑制することにより、胚中心B細胞内の抗体遺伝子ばかりでなく様々な遺伝子における体細胞突然変異の導入を防いでいると考えられた。
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