| 研究概要 |
(1)モノリシック・シリコン・アバランシェダイオード(Si-AD)アレイ検出器による^<197>AuのL内部転換電子検出
^<197>AuのL-内部転換電子線の検出を行うため、Si-ADアレイ(ピクセル:^H6×^V1mm、垂直方向にピッチ:1.1mmで3列配置)を新たに製作(浜松ホトニクス(株))した。散乱X線の影響をさけるために垂直方向の立体角を小さく、内部転換電子線検出の効率を高めるため水平方向の立体角が大きくなるように設計されている。この素子を使った測定装置の評価を、高エネルギー加速器研究機構・放射光科学研究施設BL-14Aにて行い、77.35keVのX線によって金箔から放出されるL光電子を使ってエネルギー分解能のバイアス電圧依存性、時間分解能などを調べた(課題番号:2004GO31)。そのうえで、2004年10月にSPring-8 BL09XUにてNEET観測実験を行った(課題番号:2004B0783-ND3b-np)。Si-AD2個のうち1個は、ノイズパルスを生じて不安定となった。これは、電子線の照射を受けたSi-AD表面の酸化シリコン層で帯電が生じ、その結果、有感部周囲などで放電が発生、過大な入力による増幅器の損傷が生じることが原因と推定され、帯電緩和が期待される窒化シリコン膜によるSi-AD素子製作などを検討中である。
(2)金K吸収端近傍における発光スペクトル測定
SPring-8実験では金K吸収端近傍で吸収スペクトルとともに入射X線エネルギーに対する金の特性X線強度も測定した。純ゲルマニウム検出器を用い弾性散乱の影響を避けて入射ビーム偏光面上に配置、入射X線エネルギーを変えながら金箔からのKX線のピーク位置・強度を調べた。これらの結果から、NEETによる核励起はK吸収端を40eV越えて始まること、NEET端エネルギー幅はK殻エネルギー幅の約3分の1であることを確認した。
(3)新たなNEETモデルの検討
(1),(2)の実験で観測された入射X線エネルギーに対するNEET確率変化の結果をまとめPhys.Rev.Lett.に投稿した。また測定されたNEET確率変化を説明できるようなNEETモデルを検討中である。
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