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2005 年度 実績報告書

新規シリコンネットワークを持つジシリサイド薄膜単結晶の合成と電子構造の研究

研究課題

研究課題/領域番号 16540290
研究機関広島大学

研究代表者

谷口 雅樹  広島大学, 大学院・理学研究科, 教授 (10126120)

研究分担者 山中 昭司  広島大学, 大学院・工学研究科, 教授 (90081314)
生天目 博文  広島大学, 放射光科学研究センター, 教授 (10218050)
木村 昭夫  広島大学, 大学院・理学研究科, 助教授 (00272534)
佐藤 仁  広島大学, 放射光科学研究センター, 助教授 (90243550)
キーワードジシリサイド薄膜単結晶 / 表面反応 / CaSi_2 / シリコンネットワーク / 角度分解光電子分光
研究概要

Si単結晶基板上にCa,Sr,Laを蒸着すると、表面反応により、ダイヤモンド構造とは異なる多様な新規SiネットワークをもつMSi_2(M=Ca,Sr,La)薄膜単結晶が形成される。Siと同じIV族のC(炭素)は、ダイヤモンド構造の他に、グラファイト、C_<60>、カーボンナノチューブなど様々なネットワークを形成するが、Siに関してはこれまでダイヤモンド構造しか知られてこなかった。本研究では、MSi_2薄膜単結晶を合成し、Siネットワークおよびネットワーク間に存在するMの種類に依存したバンド構造の変化を調べる。本年度は昨年度に引き続き、CaSi_2/Si(111)薄膜を作成し、角度分解光電子分光実験を行った。
Si(111)基板は、直接通電により約1000℃に加熱して清浄化を行った。清浄後は明瞭なSi(111)7x7 RHEEDパターンが観測された。Caの蒸着はAlNセルを抵抗加熱することにより行った。基板温度600deg.、蒸着速度0.07A/sでCaSi_2薄膜単結晶の育成に成功した。育成した薄膜に対し、広島大学放射光科学研究センター、BL7,BL9において、in situで角度分解光電子分光実験を行った。膜厚を大きくするに伴い、Γ-K、Γ-M方向において、フェルミ面をクロスする、Ca 3d-Si 3p混成バンドが観測された。実験結果は概ねLAPWによるバンド計算の結果と一致するが[1]、膜厚が大きくなるにしたがって、フェルミ波数が大きくなる様子が観測された。また、対称性を反映した六回対称のフェルミ面の観測に成功した。
[1] S.Fahy and D.R.Hamann, Phys.Rev.B41,7587(1990).

  • 研究成果

    (6件)

すべて 2006 2005

すべて 雑誌論文 (6件)

  • [雑誌論文] Direct evidence-of band modification and suppression of super structure in TiSe_2,upon Fe intercalation : An angle-resolved photoemission study2006

    • 著者名/発表者名
      X.Y.Cu 他14名
    • 雑誌名

      Physical Review B 73・8

      ページ: 85111-1-85111-6

  • [雑誌論文] Site-resolved electronic structure of Al nanocluster fabricated on Si(111) 7x7 surface2006

    • 著者名/発表者名
      H.Narita 他7名
    • 雑誌名

      Journal of Surface Science and Nanotechnology 4

      ページ: 208-212

  • [雑誌論文] Local Electronic Structure of Al Nanocluster Array : Fabricated, on Si(111)7x7 Surface2006

    • 著者名/発表者名
      H.Narita 他7名
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45・3B

      ページ: 2271-2274

  • [雑誌論文] Role of Ag doping in silicon clathrate compounds2005

    • 著者名/発表者名
      N.Kamakura 他7名
    • 雑誌名

      Physical Review B 72・1

      ページ: 14511-1-14511-6

  • [雑誌論文] Electronic structure and vibrational properties of Ba_8Si_<46>, Ba_8AgnSi_<46-n>, and Ba_8AU_nSi_<46-n>2005

    • 著者名/発表者名
      J.S.Tse 他6名
    • 雑誌名

      Physical Review B 72・15

      ページ: 155441-1-155441-9

  • [雑誌論文] Energy band and pin-dependent many-body interactions in ferromagnetic Ni(110). A high-resolution angle-resolved photoemission study2005

    • 著者名/発表者名
      M.Higashiguchi 他5名
    • 雑誌名

      Physical Review B 72・21

      ページ: 214438-1-214438-5

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公開日: 2007-04-02   更新日: 2016-04-21  

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