研究課題
昨年度にひきつづき、太陽電池用半導体であるZnSとSnSを積層したヘテロ接合型太陽電池と、SnO_2薄膜水素ガスセンサーを作製した。また集束レーザ光を用いた金のパターン電極形成を行った。・太陽電池用薄膜堆積硫酸亜鉛とチオ硫酸ナトリウムの水溶液に紫外線を照射することでZnSが生成する。p型半導体であるSnSの上に堆積させたZnS/SnS構造で光起電力特性を評価し、その結果微弱だが光起電効果を観測した。今年度は特に、ZnS膜の均一性、特性の再現性を高めるため、堆積条件を詳細に検討した。その結果、溶液を少量基板に滴下し紫外線照射をするドロップ堆積のプロセスにより再現性、均一性が大きく改善されることがわかった。・SnO_2薄膜堆積硝酸スズの水溶液に紫外線を照射することでSnO_2が生成する。本年度は水素ガスセンサーへの応用を目指してセンサー特性の詳細な評価と安定性、再現性の改善を目的として実験を行った。その結果、センサー特性に堆積パラメータや素子作製条件があたえる影響を解明することができ、再現性のよいセンサー作製が可能になった。・金薄膜堆積塩化金酸と亜硫酸ナトリウムの水溶液に少量のエチレンジアミンを添加した溶液で金の光化学堆積が可能である。上記のドロップ法にて結晶核のパターンを形成した後、溶液中に浸して膜を成長させる。今年度は、YAGレーザ四倍高調波をレンズにて集光して基板に照射して微細パターン形成を試みた。基板をステップモータで移動させることで、100μm幅の金のラインを形成することができた。
すべて 2006
すべて 雑誌論文 (3件)
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 45 No.9
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