| 研究概要 |
AlInN化合物半導体は、高効率高輝度の短波長光デバイスへの応用が期待されている工業価値の高い材料である。また,Al_<0.83>In_<0.17>NがGaNの格子定数と一致し,現在盛んに研究されているGaNをベースとしたレーザダイオードのクラッド層としては最適であると報告されている。しかし,従来の有機金属気相成長方法ではInNとAlNとのエピタキシャル温度の差があまりにも大きいため、AlInNの単結晶を作製するのは困難である。我々の研究グループは,数年前からシンクロトロン放射光に注目し,放射光励起がZnTeの低温エピタキシャル成長に有効であることを実証した。そこで,本研究では、これまで培ってきた成長技術を統合することにより、シンクロトロン放射光励起有機金属気相成長法を用いて規則的なAlInNのナノ構造の作製技術を確立することを目的としている。本研究を実施した結果、陽極酸化電圧を変化させることにより、ポーラスアルミナマスクの細孔サイズを制御することが可能であることが明らかになった。また、これらのマスクを用いることにより、作製された化合物半導体のドットサイズの制御も可能となり、AlInNナノ構造のサイズ制御の指針を得ることができた。さらに、分子科学研究所の極端紫外光施設UVSORにあるシンクロトロン放射光ビームラインBL1Aを利用し、X線吸収微細構造法を用いて、AlInNの局所構造の変化の解明を試みた。観測された吸収スペクトルはFEFF8コードの理論決算結果とほぼ一致した。
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