| 研究概要 |
17年度は,主として,提案しているメゾスコピックモデルによる数値シミュレーションを行い,提案しているモデルの検証を行った.その後,このシミュレーションによる複数の材料に対するパラメータスタディ結果もあわせて,K_<th,max>増によるΔK_<th>の漸減現象発生の有無を容易に予測可能とする判定線図を作成し,最終的な成果をまとめた.
具体的には,提案しているモデルにおいて複数の選択肢が考えられる次の項目について,実験結果を再現するように定め,数値計算用にコード化した.
-き裂前縁に位置するセルの局所的き裂駆動力→並列バネモデルを採択することにより,き裂前縁の局所的応力の再配分を考慮
-セル内の材料抵抗→基本材料抵抗に材料のばらつきを乗じる形で,セルの材料抵抗を評価
以上の仮定の下で,S55Cを念頭に置いた数値シミュレーションを行い,K_<th,max>増によるΔK_<th>の漸減現象を再現した.そしてS55Cについて,K_<th,max>増によるΔK_<th>の漸減現象が再現できたときの基本材料抵抗値の設定方法を他の材料(Al,Ti)にも適用し,シミュレーションによりK_<th,max>増によるΔK_<th>の漸減現象の有無を予測した.その結果が実験結果と対応している場合に,提案しているモデルの検証ができたと判断することにし,予想通りの結果を得た.その後上記のシミュレーション結果を集約し,K_<th,max>増によるΔK_<th>の漸減現象発生の有無を容易に予測可能とする判定線図として最終的な成果をまとめた.
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