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Cr_2O_3に替わるSiC単結晶ウェハの高能率・高精度研磨技術の研究開発の一環としてα一Fe_2O_3およびTiO_2砥粒を用いた光触媒効果重畳高温研磨法の開発を試みた。SiC多結晶ウェハに対して各種条件での研磨実験を行った。
得られた主な結果を以下に示す。
1 加工試料を大気中300℃まで加熱可能で、しかも研磨定盤の裏面から紫外線を透過照射可能な光照射重畳高温研磨装置を試作し、紫外線を研磨面に照射しながら高温研磨が可能であることを確認した。
2 α-Fe_2O_3砥粒による高温研磨実験において定盤表面温度230℃程度のときに最も研磨能率が高く、従来最も高能率とされたCr_2O_3砥粒よりもさらに高い研磨能率を示すことが実証された。
3 TiO_2砥粒の場合、紫外線照射による酸化触媒効果の期待できるアナターゼ型砥粒では、170℃で紫外線を照射しながら研磨すると室温・光照射なしの場合よりも4倍程度高い研磨能率を示すことが見出された。
4 光触媒効果の乏しいルチル型TiO_2砥粒の場合は光照射・高温研磨の効果は明確には認められなかった。
5 研磨ウェハの表面粗さはいずれもRa数10nm程度で、単結晶ウェハのそれと比較すると1桁以上粗い。これは本研究で使用したウェハが多結晶ウェハであり、MCPに特有の結晶方位依存性が顕著に現わること、焼結起因のボアが多数存在することが原因と認められる。
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