• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2005 年度 実績報告書

強磁性トンネル接合/負性低抗素子融合回路の開発

研究課題

研究課題/領域番号 16560289
研究機関北海道大学

研究代表者

植村 哲也  北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 助教授 (20344476)

キーワード強磁性トンネル接合 / 磁気ランダムアクセスメモリ / 共鳴トンネルダイオード / トンネル磁気抵抗
研究概要

本研究の目的は、高い読み出し信号比を有する磁気ランダムアクセスメモリー(MRAM)の創出に向け、共鳴トンネルダイオード(RTD)と強磁性トンネル接合(MTJ)を組み合わせた融合素子を開発することである。そのため、MTJとRTDの直列または並列接続集積構造を有するMRAMセルを構成し、回路シミュレーションとデバイス試作を通じ、MTJ/RTDメモリの素子設計、回路性能解析、製作、評価技術の確立をめざす。今年度の具体的な成果を以下に示す。
1.RTD/MTJ-MRAMの試作
初年度に得られた知見をもとに、MTJ/RTD集積構造を有するMRAMセルを試作し、その基本動作を実証した。
2.回路シミュレーションによるメモリ性能解析
前記1で試作したプロトタイプセルの評価結果をベースに、セル占有面積、アクセス速度、消費電力、動作マージン、などのメモリ性能が集積度向上につれてどのように推移するかを回路シミュレーションにより解析した。これにより、高速・大容量のMRAM実現の観点から、本研究のRTD/MTJ融合システムのポテンシャリティを明らかにした。
3.MTJとRTDを融合した論理回路の創出
MTJのフリー磁化層の直上に設けた制御電流線に流れる電流を入力信号とし、MTJの磁化状態を出力とする論理回路を検討した。
4.強磁性共鳴トンネル構造の基礎検討
NDR特性を有するMTJ素子を実現するための別のアプローチとして、強磁性層を用いたRTDの可能性について検討した。量子井戸を強磁性体により形成すれば井戸内のエネルギー準位が電子のスピン方向に依存して交換分裂エネルギー分だけシフトすることを利用すれば、大きな磁気抵抗比が実現できる可能性がある。本研究では、強磁性化合物半導体であるGaMnAsに着目し、強磁性共鳴トンネル効果に基づくNDR特性の発現条件を理論的に明らかにした。

  • 研究成果

    (12件)

すべて 2006 2005

すべて 雑誌論文 (12件)

  • [雑誌論文] Fabrication of fully epitaxial magnetic tunnel junctions using cobalt-based full-Heusler alloy thin film and their tunnel magnetoresistance characteristics2006

    • 著者名/発表者名
      Masafumi Yamamoto
    • 雑誌名

      J.Phys.D 39

      ページ: 824-833

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [雑誌論文] Epitaxial growth of Co_2Cr_<0.6>Fe_<0.4>Al Heusler alloy thin films on MgO (001) substrates by magnetron sputtering2006

    • 著者名/発表者名
      Ken-ichi Matsuda
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 286

      ページ: 389-393

  • [雑誌論文] Analysis of anisotropic tunnel magneto-resistance of (Ga,Mn)As/AlAs/(Ga,Mn)As magnetic tunnel junction2006

    • 著者名/発表者名
      Tetsuya Uemura
    • 雑誌名

      Physica E 31(未定)

  • [雑誌論文] Structural and magnetic properties of epitaxially grown full-Heusler alloy Co_2MnGe thin films deposited using magnetron sputtering2006

    • 著者名/発表者名
      Takashi Ishikawa
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. 99(未定)

  • [雑誌論文] Tunnel magnetoresistance in epitaxial magnetic tunnel junctions using full-Heusler alloy Co_2MnGe thin film and MgO tunnel barrier2006

    • 著者名/発表者名
      Takao Marukame
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. 99(未定)

  • [雑誌論文] Fabrication of Fully Epitaxial Magnetic Tunnel Junctions Using Full-Heusler Alloy Co_2Cr_<0.6>Fe_<0.4>Al Thin Film and MgO Tunnel Barrier2005

    • 著者名/発表者名
      Takao Marukame
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 44

      ページ: L521-L524

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [雑誌論文] Four-Valued Magnetic Random Access Memory Based on Magneto Tunnel Junction and Resonant Tunneling Diode2005

    • 著者名/発表者名
      Tetsuya Uemura
    • 雑誌名

      International Journal of Multiple-Valued Logic and Soft Computing 11

      ページ: 467-479

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [雑誌論文] Epitaxial Growth of Fe/MgO/Fe Heterostructures on SrTiO_3(001) Substrates by Magnetron Sputtering2005

    • 著者名/発表者名
      Takao Marukame
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 44

      ページ: 6012-6015

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [雑誌論文] マグネトロンスパッタ法によるホイスラー合金Co_2Cr_<0.6>Fe_<0.4>Al薄膜のエピタキシャル成長と磁気特性評価2005

    • 著者名/発表者名
      笠原貴志
    • 雑誌名

      日本応用磁気学会誌 29

      ページ: 895-899

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [雑誌論文] Magnetic Anisotropy Study for GaMnAs-based Magnetic Tunnel Junction2005

    • 著者名/発表者名
      Tetsuya Uemura
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 44

      ページ: L1352-L1354

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [雑誌論文] Magnetic and Electrical Properties of (La,Sr)MnO_3 Sputtered on SrTiO_3-buffered Si Substrate2005

    • 著者名/発表者名
      Tetsuya Uemura
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 44

      ページ: 2604-2607

  • [雑誌論文] High Tunnel Magnetoresistance in Epitaxial Co_2Cr_<0.6>Fe_<0.>4Al/MgO/CoFe Tunnel Junctions2005

    • 著者名/発表者名
      Takao Marukame
    • 雑誌名

      IEEE Trans.on Mag. 41

      ページ: 2603-2605

URL: 

公開日: 2007-04-02   更新日: 2016-04-21  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi