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(1)BNコーンエミッターの電界電子放出特性(E-I特性)の非線形な振る舞いを、二次元非線形力学系モデルによってシミュレーションすることに成功した。
(2)電界電子放出特性を決定する重要な因子であるコーンエミッターの基板表面に於ける分布の制御に必要な核生成の制御がSi(100)基板において表面処理を行うことにより可能であることが分かった。
(3)合成時に表面反応励起の目的で照射するレーザー光によって励起されたphotoluminescenceをモニターすることにより、薄膜成長速度のin-situ観測が可能であることが分かった。
(4)電子天秤によるdeposition前後の重量変化の測定による成長速度の時間変化のデータは、上記PL光による成長速度のin-situ測定の結果と一致した。
(5)上記PL光及び重量変化によるコーン成長の定量的な測定に加えて、SEMによる表面モルフォロジーの時間的な変化の観察を行い、初期コーン形成過程に関する重要な知見を得た。
(6)コーン分布の均一・不均一相転移がある遷移温度(600℃付近)において生ずることが明確になり、その振る舞いを、光化学反応_拡散モデルによって再現することに成功した。
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