| 研究概要 |
光電子分光装置については、Nd : YAGレーザーの第5高調波が発振可能となり、初年度に立ち上げた電子線エネルギー分析器と組み合わせて、バルク敏感な紫外線光電子分光の測定を開始した。これまでの光電子分光による研究を進展させて、室温強磁性を示すTi_<1-x>Co_xO_2,金属絶縁体転移を示すCuIr_2S_4,光照射によって価数が変化するCsAuBr_3についてインパクトのある成果を挙げることができた。特に、Cs_2Au_2Br_6の表面において、Au^+とAu^<3+>の2つの成分が可視光照射によってAu^<2+>に変化することを室温で観測し、この室温光誘起原子価転移を利用する光記録材料を提案した。また、ペロブスカイト型マンガン酸化物薄膜の測定を行い、金属絶縁体転移に伴い光電子スペクトルの変化する様子を観測し、光誘起金属絶縁体転移に伴う電子状態の変化を調べた。
一方、分散マッチングによる高エネルギー分解能逆光電子分光装置の開発については、実験装置が完成して標準試料による性能評価を行った。エネルギー分解能が不十分であったため電子源と紫外線検出系について改良を進めているが、目標とする分解能には到達していない。検討の結果、電子線のエネルギーを小さくすること、検出器からのノイズを抑えて位置分解能を改善することの2点が必要であることが分かった。分解能は不十分であるが、比較的バルク敏感な紫外線領域において銅酸化物高温超伝導体の非占有状態の観測を行った。
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