| 研究概要 |
本年度は,以下の3つの研究成果を得た.
(1)平成16年度に,設備備品として導入した活性窒素源および真空チャンバーを用いて,活性窒素支援斜め堆積蒸着法による,微細構造化多結晶窒化インジウム薄膜の堆積に成功した.平成17年度に達成した,0.2Paの圧力条件より,さらに低い0.04Paにおける多結晶窒化インジウム薄膜の堆積に成功した.そこで,基板傾斜角85度の斜め堆積法を適用した結果,従来より飛躍的に微細構造制御性が高まり,膜の空隙率は80%を超え,Zigzag状構造における窒化インジウムナノロッドの傾き58度を得た.
(2)0.04Paの低圧力下で活性窒素支援斜め堆積蒸着された窒化インジウム薄膜のエレクトロクロミック特性を評価した.その結果,Zigzag状構造の膜において,吸収係数変化量が最大5×10^4cm^<-1>と,これまでで最大の色変化量を達成した.応答特性として,透明導電膜をコートした基板上に堆積した膜において,着色側,消色側ともに,0.4s以内の色変化時間を示した.
(3)斜め堆積反応性イオンプレーティング法において,インジウムとガリウムの2元蒸発源を用いることにより,窒化インジウムガリウム薄膜を作製した.この膜は,窒化インジウムと同様のエレクトロクロミック特性を示したが,光学ギャップが窒化インジウムより広く,それに伴って,色変化を起こす波長領域が紫外側ヘシフトすることを発見した.
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