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2004 年度 実績報告書

高輝度・長寿命ナノクリスタルシリコン発光層の作製

研究課題

研究課題/領域番号 16710092
研究機関詫間電波工業高等専門学校

研究代表者

辻 琢人  詫間電波工業高等専門学校, 情報通信工学科, 講師 (70321502)

キーワード原子状水素 / 結晶欠陥の低減 / 結晶欠陥の不活性化 / ナノクリスタルシリコン / 高周波スパッタ
研究概要

量子サイズ効果によるナノクリスタルシリコンの発光は,その結晶粒径をナノメートル単位で制御することにより得られる.本研究では,ナノクリスタルシリコンをマグネトロン高周波スパッタ法で作製を試みる.平成16年度は,本校に新規に導入されたマグネトロン高周波スパッタ装置の立ち上げを行った.具体的には,装置の仕様を最適化し,その結果を基に様々な箇所の設計を行った.その結果,ナノクリスタルシリコンを作製するための所望の機能をもつ装置を得ることができた.とくに,成長チャンバーの他に,試料を成長室に搬送するための準備室を設け,試料を大気に取り出す毎に成長室を大気圧に戻すことなく,効率よく実験・研究を行えるように考慮したこと,及び最大3つのスパッタ源を設置可能なことが装置の特長としてあげられる.
スパッタ装置の立ち上げと並行して,ナノクリスタルシリコンから発光を得るために必要な熱処理を行うアニール装置,及びナノクリスタルシリコン内に残留する結晶欠陥の不活性化に用いる原子状水素生成セルを作製した.アニール装置,及び原子状水素生成セルは,本年度交付された科学研究費補助金で研究代表者自身が設計・作製した.以上の結果,次年度に行うナノクリスタルシリコン内に残留する結晶欠陥の不活性化に関する技術・開発をスムーズに遂行できるよう準備することができた.
これらの立ち上げた装置を使って発光するナノクリスタルシリコンの作製を試みている.現段階では,ターゲット材料,成長速度,成長雰囲気,熱処理温度などの作製条件から所望の発光波長を有する最適なサイズのナノクリスタルシリコンの成長を模索している.その評価には,表面段差計,及び走査型電子顕微鏡を用い,光学的特性はフォトルミネッセンス測定装置を用いて作製条件を検討している.

  • 研究成果

    (1件)

すべて 2004

すべて 雑誌論文 (1件)

  • [雑誌論文] Selective epitaxial growth of GaAs on Si with strained short-period superlattices by molecular beam epitaxy under atomic hydrogen irradiation2004

    • 著者名/発表者名
      Takuto TSUJI
    • 雑誌名

      Journal of Vacuum Science and Technology B 22・3

      ページ: 1428

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公開日: 2006-07-12   更新日: 2016-04-21  

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