ミストＣＶＤによる高耐圧ＨＥＭＴの作製

2018 年度 実績報告書

• 研究課題/領域番号: 16F16373
• 研究機関: 高知工科大学
• 研究代表者: 川原村 敏幸 高知工科大学, システム工学群, 教授 (00512021)
• 研究分担者: DANG GIANG 高知工科大学, システム工学部, 外国人特別研究員
• 研究期間 (年度): 2016-10-07 – 2019-03-31
• キーワード: Mist CVD / Ga2O3 / HEMT / heterostructures / (Al xGa1-x)2O3, / α-Cr2O3 / (Cr xGa1-x)2O3 / MODFETs

研究実績の概要

最終年度残り5ヶ月にα-(AlxGa1-x)2O3/α-(CrxGa1-x)2O3系HEMT作製を達成させる為、主にデバイス形成プロセスの構築を試みた。まずα-((Al, or Cr)xGa1-x)2O3系薄膜のパターン形成プロセスの選択や保護膜の選択と各種電極形成に関する研究を行った。α-((Al, or Cr)xGa1-x)2O3系薄膜の耐薬品性が非常に高く、そのパターン形成は困難であると考えられた。しかしながら、Ga2O3とAlとCrを混晶したGa2O3はそれぞれ異なる溶剤でエッチング(食刻)できる事を発見し、パターン形成プロセスを構築することが叶った。またショットキー電極としてRFスパッタリングを用いて形成したAgOがリフトオフプロセスによるパターン形成が可能かどうかを確認した。最終的にHEMT構造を形成し特性評価を行った。しかしながら、最適化までには至らなかった。
今後この2年間の研究を踏まえ、更に促進させていく予定である。

現在までの達成度 (段落)

平成30年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

平成30年度が最終年度であるため、記入しない。

研究成果

• [雑誌論文] Growth of α-Cr2O3 single crystals by mist CVD using ammonium dichromate (2018)
  • 著者名/発表者名: Dang Giang T.、Suwa Yuta、Sakamoto Masahito、Liu Li、Rutthongjan Phimolphan、Sato Shota、Yasuoka Tatsuya、Hasegawa Ryo、Kawaharamura Toshiyuki
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 11 ページ: 111101～111101
  • DOI: 10.7567/APEX.11.111101
  • 査読あり
• [雑誌論文] Bandgap engineering of α-(AlxGa1-x)2O3 by a mist chemical vapor deposition two-chamber system and verification of Vegard's Law (2018)
  • 著者名/発表者名: Dang G. T.、Yasuoka T.、Tagashira Y.、Tadokoro T.、Theiss W.、Kawaharamura T.
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 113 ページ: 062102～062102
  • DOI: 10.1063/1.5037678
  • 査読あり / 国際共著
• [備考] 川原村敏幸のHP
  • URL: http://www.nano.kochi-tech.ac.jp/tosiyuki/