AlGaN系超高効率紫外発光素子の実現に向けたキャリア再結合過程の解明と制御

研究成果発表報告書

• 研究課題/領域番号: 16H02332
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 京都大学
• 研究代表者: 船戸 充 京都大学, 工学研究科, 准教授 (70240827)
• 研究分担者: 川上 養一 京都大学, 工学研究科, 教授 (30214604)
• 研究期間 (年度): 2016-04-01 – 2021-03-31

研究成果

• [雑誌論文] Lattice relaxation in semipolar AlxGa1-xN grown on (1-102) AlN substrates (2020)
  • 著者名/発表者名: Akaike Ryota, Ichikawa Shuhei, Funato Mitsuru, Kawakami Yoichi
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 13 ページ: 061008～061008
  • DOI: 10.35848/1882-0786/ab9183
  • 査読あり
• [雑誌論文] Deposition of carbon-containing hole injection layers on p-type Al0.8Ga0.2N grown by metalorganic vapor phase epitaxy (2020)
  • 著者名/発表者名: Kishimoto Katsuhiro, Funato Mitsuru, Kawakami Yoichi
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 117 ページ: 062101～062101
  • DOI: 10.1063/5.0017703
  • 査読あり
• [雑誌論文] Broadband ultraviolet emission from 2D arrays of AlGaN microstructures grown on the patterned AlN templates (2020)
  • 著者名/発表者名: K. Kataoka, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Physica Status Solidi A 巻: 217 ページ: 1900764-1900764
  • DOI: 10.1002/pssa.201900764
  • 査読あり
• [産業財産権] 半導体素子及びp型窒化物半導体層の形成方法 (2022)
  • 発明者名: 岸元克浩, 他4名
  • 権利者名: 京大, 日亜化学
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 特許第7177437号