研究課題
基盤研究(B)
本研究は、光を使ってヘテロ構造のスピン軌道相互作用を評価し、新たな視点からスピン軌道効果を理解できる技術を構築し、スピン軌道相互作用と光の相関に関する学理を構築することが目的である。本研究では、磁気光学効果を高精度で検出できるシステムを開発し、非磁性/強磁性ヘテロ構造において電流印加によって強磁性層に作用するスピン軌道トルクや、非磁性層におけるスピン蓄積を評価できることを実証した。また、フォトガルバニック効果を利用して、金属層界面の特異な電子状態（ラシュバ型電子構造）を検出することに成功した。
電子スピン物性
スピンホール角やスピントルク、ジャロシンスキー・守谷相互作用の大きさはスピン軌道効果をデバイスに応用する上での最重要パラメータであり、精緻な計測技術が必要不可欠である。本研究で構築した光解析技術により、スピン蓄積やスピン軌道トルク、界面の電子構造を精密に評価できることが明らかになった。今後はこの技術を利用して、様々な物質におけるスピン軌道効果を調査し、その起源解明に迫る。
