| 研究課題/領域番号 |
16H03856
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| 研究機関 | 国立研究開発法人理化学研究所 |
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研究代表者 |
沓掛 健太朗 国立研究開発法人理化学研究所, 革新知能統合研究センター, 研究員 (00463795)
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| 研究分担者 |
原 康祐 山梨大学, 大学院総合研究部, 特任助教 (40714134)
太子 敏則 信州大学, 学術研究院工学系, 准教授 (90397307)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| キーワード | 発光イメージ / 結晶欠陥 / 半導体結晶 / 結晶工学 / 欠陥物性 / 機械学習 / データ科学 / 結晶評価 |
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| 研究実績の概要 |
本研究は、発光イメージングによる半導体結晶中の欠陥特性の評価について、材料の違いを超えて共通する背景物理を明確にし、定量評価法を確立することを目的とする。本課題では、1)高空間分解への展開(対象BaSi2)、2)ワイドバンドギャップ材料への展開(対象SiC)、3)計算機を用いた解析の拡張、の3研究項目を設定している。以下に平成30年度の実績概要を研究機関ごとに述べる。
名古屋大学および理化学研究所では、データ科学手法（機械学習や画像処理）を活用した発光イメージの定量評価法の開発に注力した。具体的には、発光イメージから欠陥に関する数値情報を抽出する手法、欠陥周囲のキャリアシミュレーション結果の機械学習を利用した欠陥特性の定量法を得ることができた。これらの手法は実際の測定に応用され、評価法としての検出感度や定量精度の検証を進めている段階である。
山梨大学では、室温で発光する高品質なBaSi2薄膜の真空蒸着による作製を目指して、深さ方向組成分析と堆積組成の熱力学理論予測により、BaSi2成膜メカニズムを詳細に解明した。新規導入した真空蒸着装置の堆積速度制御機構を用いることで、堆積組成の精密制御が可能となった。
信州大学では、溶液法によるSiC結晶成長を行い、厚さ150～300μmの様々な表面モフォロジーを有するSiC結晶を成長した。得られた結晶は、ラマン分光法により大部分が4H-SiCであることを確認した。これらの試料を研究代表者に提供し、分析に役立てた。
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| 現在までの達成度 (段落) |
平成30年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
平成30年度が最終年度であるため、記入しない。
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