| 研究課題/領域番号 |
16H03875
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 |
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研究代表者 |
境 誠司 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所 先端機能材料研究部, 上席研究員(定常) (10354929)
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| 研究分担者 |
圓谷 志郎 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所 先端機能材料研究部, 主幹研究員(定常) (40549664)
李 松田 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所 先端機能材料研究部, 博士研究員(任常) (90805649)
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| 研究協力者 |
山内 泰
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| キーワード | グラフェン / 二次元物質 / スピントロニクス / 界面 / 電子・スピン物性 |
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| 研究成果の概要 |
グラフェンは、次世代のスピントロニクス材料として大きな期待を集めている。グラフェンを用いたスピントロニクスデバイスの研究では、グラフェンへの効率的なスピン偏極キャリア(スピン流)の注入とスピン流の偏極状態の制御が重要な課題である。これら研究は、従来、磁性金属を電極に用いた素子について行われてきたが、有力な解決策は得られていない。これに対して、本研究では磁性酸化物によるグラフェンのスピン流制御について検討を行い、ハーフメタリックなLSMOとの接合によりグラフェンに高スピン偏極なキャリアを注入できること、また、絶縁体のYIGとの接合によりキャリアのスピン偏極の向きを制御できることを明らかにした。
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| 自由記述の分野 |
スピントロニクス、ナノ材料工学、表面・界面物性、量子ビーム計測
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究で得られたグラフェン/酸化物磁性体の磁気近接効果に関する研究成果は、グラフェンを用いた次世代スピントロニクスデバイスの実現に繋がるものであり、それによる情報デバイスの省エネ化など電子情報技術の発展に貢献することが期待できる。
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