研究課題
基盤研究(B)
本研究では，GaNパワーデバイスを用いたPWMインバータの高効率化を目的とした回路実装技術の研究を行い，ゲート駆動回路およびインバータ回路周辺の実装手法について検討を行った。さらに，回路の小型を想定した電流制御手法の提案を行い，その妥当性と課題について明らかにした。これらの検討事項の妥当性を確認するために，1MHzスイッチング動作のインバータ回路の動作検証を行い，さらに応用技術に関する考察を行った。
パワーエレクトロニクス
家電・産業機器の省エネルギー化や多機能化を実現するためには，高効率な電力変換回路の需要が今後さらに増加する。電力エネルギー利用の有効活用のためには，制御可能周波数帯域がより高くなることが要求されている。本研究では，100 kHzまでの電力を利用することを前提として，GaNパワーデバイスを用いた回路実装技術の研究，およびその実証試験を行った。以上のことより，100 kHz帯域の電力エネルギー利用に向けた可能性を示した。
