| 研究課題/領域番号 |
16H04328
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
加藤 剛志 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (50303665)
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| 研究分担者 |
岩田 聡 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 (60151742)
大島 大輝 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 助教 (60736528)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| キーワード | 電子・電気材料 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では磁気ランダムアクセスメモリの新たな磁化反転手法として研究が進んでいるスピンホール効果を用いた磁化反転において，CoやFe超薄膜にHfO2/MgO絶縁層を介して電界を印加し，超薄膜のスピンホール磁化反転の電界印加効果を調べた．また，電界印加時，スピン流注入時のスピンダイナミクスを調べた．Co超薄膜の保磁力は電界によって43 %/(V/m)，スピンホール磁化反転の臨界電流密度は20 %/(V/m)と大きな値が得られることを確認した．保磁力やスピンホール磁化反転の臨界電流密度の電界効果は絶縁層の成膜条件に大きく依存することが確認された．
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| 自由記述の分野 |
磁性薄膜工学
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
スピンホール磁化反転は磁気ランダムアクセスメモリの高密度化，高速化に有効な次世代の磁化反転技術として期待されているが，磁化反転の臨界電流密度の低減が求められている．本研究では電界という電力消費の少ない方法でこの臨界電流密度が大きく変調されることを示し，基礎，応用両面において重要な成果が得られたと考えられる．また，この臨界電流密度の変調は絶縁層の成膜条件に大きく依存することも明らかになり，今後，成膜条件の最適化により更に大きな電界効果が得られることが期待される成果も得られた．
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