|
自発分極がc軸方向に存在するm面 GaN をレーザーテラヘルツ放射顕微鏡(LTEM)により観察し、自発分極により放射THz 波が増強されていることを確認し、分極反転ドメインの特定に成功した。さらに、放射されたTHz波を二つのワイヤーグリッド偏光子に通して、片方のワイヤーグリッドを90度回転させることにより、THz波の偏光のx成分とy成分の分布を取得し、この２つの偏光成分を合成しすることにより、任意のベクトル量をもつm-GaN の表面の局所分極を可視化することに成功した。本手法により、ドメイン内部における分極の変化の様子がより鮮明にイメージングすることが可能となった。
|
