活性層に量子ドットを導入することにより、信頼性の高いII-VI族半導体レーザを実現することを目的として研究を行った。CdSe量子ドット層を導入した利得ガイド型のレーザダイオードを作製し、波長510~530 nmでレーザ発振することを確認した。素子の信頼性について量子井戸型との比較研究を行った。量子ドット素子では活性層の劣化が比較的抑制されており、量子ドットが素子の劣化対策に対して有効であることが明らかになった。量子ドット超格子構造のドット層数を増加させることにより、発光波長を550 nmまで長波長化することに成功した。
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