| 研究課題/領域番号 |
16H04500
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 中部大学 |
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研究代表者 |
山田 直臣 中部大学, 工学部, 教授 (50398575)
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| 研究分担者 |
川村 史朗 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主任研究員 (80448092)
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| 研究協力者 |
曹 祥
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| キーワード | 窒化物半導体 / 疑似III族窒化物 / 太陽電池 / バンドギャップ / 有効質量 |
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| 研究成果の概要 |
疑似III族窒化物であるZn-IV-N2の薄膜・バルク合成と物性調査を行った．特に不明な点が多いZnSnN2を中心に研究した．高圧下での複分解反応を利用して，初めてZnSnN2粉体を得ることに成功し，ウルツ鉱型構造をとることも明らかにした．さらに，ZnSnN2をエピタキシャル成長させて，バンドギャップと伝導帯有効質量を明らかにした．また，Mg添加によるバンドギャップ制御の可能性についても見出した．
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| 自由記述の分野 |
固体化学
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
疑似III族窒化物であるZn-IV-N2は，現行のIII族窒化物の安価な代替材料として検討されていたが，結晶構造やバンドギャップ，電子の有効質量などが不明な点が多かった。そのため，デバイス応用を考える段階に至っていなかった。本研究では，Zn-IV-N2の中で，全くと言ってよいほど研究されてこなかったZnSnN2の固有物性の一端を明らかにできた。本研究によって，Zn-IV-N2系ならびにそれらの混晶のデバイス応用へ向けた基礎的な知見が得られたものと思われる．
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