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本研究では、酸化物半導体薄膜形成プロセスにおける反応過程の解明を通じて、プラズマ反応性の高度制御により、デバイス形成の低温化と大面積均質プロセスの実現に向けた新しいプラズマプロセス技術を創成することを目的としており、基礎過程（反応過程）の解明を通じたアニールプロセスの高度化から高度プロセス制御法の開拓にわたる研究を行った。その結果、単なる熱処理ではアニール効果を示さない程度の低温においても、プラズマの反応性を利用することで、従来の特性を凌駕する良好な薄膜トランジスタ特性を示す半導体薄膜を形成可能であり、デバイス特性の良好な安定性を示すことを実証した。
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