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本研究では，「パルス大電流印加が共有結合性半導体結晶のパイエルスポテンシャルに及ぼす影響」を解明することを最終目的とし，以下の3点を本研究の主要課題として設定した．まず，（１）パルス大電流印加状態における共有結合性半導体結晶の活動すべり系を特定する．次いで，（２）印加するパルス大電流の変化に対する分解せん断応力の応答性を把握し，（３）パルス大電流印加状態での容易変形性が，パイエルスポテンシャルを規定するどの因子に影響を及ぼした結果であるのかを明らかにする．これにより，高温場による熱活性化過程に依らない，新たな変形機構の解明を目指す．
本年度は，昨年度までに作製した新規評価装置を用いて実験を進めた．パルス大電流印加状態での圧縮・引張変形による変形挙動，分解せん断応力とパルス大電流との相関を前年度に引き続き検討した．種々の圧縮・引張軸方位がとれるように切り出した角柱試料の全面をフッ硝酸エッチングすることで鏡面試験片を準備した．方位指定の試料ではあるが，背面反射ラウエ法により結晶方位を確認した後，圧縮試験を行うことですべり線解析を行い，活動すべり系を特定した結果，通常の高温塑性変形と同一であることが特定できた．一方で，パルス大電流印加状態における格子面間隔のその場評価については，実施に至らず，現状ではパルス通電の効果を熱活性化過程以外の因子と結びつけることはできていない．
室温で容易にへき開破壊するシリコンにおいて，パルス通電によって容易に変形が可能となることは確かであるが，ジュール加熱による熱活性化過程以外の効果によるものであることを明確に示すには至らなかった．
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