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2019 年度 実績報告書

エニオン統計性を有する分数電荷準粒子の2粒子衝突実験

研究課題

研究課題/領域番号 16H06009
研究機関日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

研究代表者

橋坂 昌幸  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員 (80550649)

研究期間 (年度) 2016-04-01 – 2020-03-31
キーワードメゾスコピック系 / 半導体物性 / 物性実験
研究実績の概要

本課題「エニオン統計性を有する分数電荷準粒子の2粒子衝突実験」の目的は、分数量子ホール系の素励起である分数電荷準粒子のエニオン統計性を実験的に検証することである。強磁場中の半導体2次元電子系において分数電荷準粒子の衝突実験を実現することで、この目的の達成を目指す。
この目的達成のためにはさまざまなアプローチの方法が考えられる。本課題では、占有率の異なる複数の量子ホール系の接合を作製し、その接合部分の構造をデザインすることによって目的の達成が可能になると着想し、取り組みを開始した。2019年度は、第一に、昨年度までに得られていた占有率2の量子ホール系中に局所的に形成される占有率1量子ホール系のスピン状態についての実験結果をまとめ、論文として出版した。第二に、昨年度より取り組んでいる、占有率1/3と1の分数・整数量子ホール接合におけるエッジ状態の内部構造解明の実験を推進した。実験およびその解釈の両面で理解が十分に進んだため、論文にまとめる予定である。第三に、分数・整数量子ホール接合における分数電荷準粒子のアンドレーエフ反射を実験的に観測することに成功した。この現象は1990年代より理論的に研究されてきたもので、本研究によって初めて観測がなされた。この成果は近日中に論文を投稿する予定である。
そのほか、準粒子の衝突実験に不可欠な電流ゆらぎ測定系、および複数電流の相関測定系について、それぞれ自作の高電子移動度トランジスタを利用した高性能測定系の作製に成功した。これらについても、それぞれ論文としてまとめて公表することを予定している。

現在までの達成度 (段落)

令和元年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

令和元年度が最終年度であるため、記入しない。

  • 研究成果

    (16件)

すべて 2020 2019 その他

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件) 学会発表 (10件) (うち国際学会 5件、 招待講演 2件) 備考 (2件) 産業財産権 (3件) (うち外国 3件)

  • [雑誌論文] Two-step breakdown of a local ν=1 quantum Hall state2020

    • 著者名/発表者名
      Hashisaka Masayuki、Muraki Koji、Fujisawa Toshimasa
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 101 ページ: 041303-1-5

    • DOI

      10.1103/PhysRevB.101.041303

    • 査読あり
  • [学会発表] Two-step breakdown of a local ν=1 quantum Hall state2019

    • 著者名/発表者名
      Masayuki Hashisaka, Koji Muraki, Toshimasa Fujisawa
    • 学会等名
      The 7th International Workshop on Emergent Phenomena in Quantum Hall Systems
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Spin-charge separation of fractionally charged excitations studied with current noise measurement2019

    • 著者名/発表者名
      Tokuro Hata, Takaaki Endo, Masayuki Hashisaka, Takafumi Akiho, Koji Muraki, Toshimasa Fujisawa
    • 学会等名
      2019 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 国際学会
  • [学会発表] ZnOゲートを有するInAs量子ホール系におけるエッジマグネトプラズモン2019

    • 著者名/発表者名
      熊田倫雄、Ngoc Han Tu, 佐々木健一、太田剛、橋坂昌幸、佐々木智、小野満浩二、村木康二
    • 学会等名
      日本物理学会2019年秋季大会
  • [学会発表] 整数・分数量子ホール微小接合における電気輸送特性2019

    • 著者名/発表者名
      橋坂昌幸、秋保貴史、佐々木智、村木康二
    • 学会等名
      日本物理学会2019年秋季大会
  • [学会発表] 電荷ゆらぎ測定を用いた分数電荷励起のスピン電荷分離の観測2019

    • 著者名/発表者名
      秦徳郎、遠藤孝晃、橋坂昌幸、秋保貴史、村木康二、藤澤利正
    • 学会等名
      日本物理学会2019年秋季大会
  • [学会発表] Charge equilibration between counter-propagating edge channels at a fractional-integer quantum Hall junction2019

    • 著者名/発表者名
      Masayuki Hashisaka, Takafumi Akiho, Satoshi Sasaki, Koji Muraki
    • 学会等名
      International Symposium on Nanoscale Transport and Photonics
    • 国際学会
  • [学会発表] Current noise generation at a v = 1/3 and v = 1 quantum Hall junction2019

    • 著者名/発表者名
      Masayuki Hashisaka, Takafumi Akiho, Satoshi Sasaki, Koji Muraki
    • 学会等名
      International Conference on Topological Materials Science
    • 国際学会
  • [学会発表] Charge equilibration between counter-propagating v = 1/3 and v = 1 quantum Hall edge channels2019

    • 著者名/発表者名
      Masayuki Hashisaka, Takafumi Akiho, Satoshi Sasaki, Koji Muraki
    • 学会等名
      The 11th International Conference on Advanced Materials and Devices
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 電流雑音測定のためのGaAs HEMT低温増幅器の開発2019

    • 著者名/発表者名
      Lee Sanghyun, 橋坂昌幸、秋保貴史、小林研介、村木康二
    • 学会等名
      日本物理学会第75回年次大会
  • [学会発表] 整数・分数量子ホール微小接合における電荷中性モードの検出2019

    • 著者名/発表者名
      橋坂昌幸、秋保貴史、佐々木智、村木康二
    • 学会等名
      日本物理学会第75回年次大会
  • [備考] グループホームページ

    • URL

      http://www.brl.ntt.co.jp/J/group_006/group_006.html

  • [備考] 個人ホームページ

    • URL

      http://www.brl.ntt.co.jp/people/hashisaka.masayuki/index.html

  • [産業財産権] 電流電圧変換装置2020

    • 発明者名
      橋坂昌幸、秋保貴史、村木康二
    • 権利者名
      橋坂昌幸、秋保貴史、村木康二
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      PCT/JP2020/012149
    • 外国
  • [産業財産権] 電流電圧変換装置(バイアス回路)2020

    • 発明者名
      橋坂昌幸、秋保貴史、村木康二
    • 権利者名
      橋坂昌幸、秋保貴史、村木康二
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      PCT/JP2020/012150
    • 外国
  • [産業財産権] 電流電圧変換装置(出力部)2020

    • 発明者名
      橋坂昌幸、秋保貴史、村木康二
    • 権利者名
      橋坂昌幸、秋保貴史、村木康二
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      PCT/JP2020/012152
    • 外国

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公開日: 2021-01-27  

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