| 研究課題/領域番号 |
16H06080
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| 研究種目 |
若手研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
冨岡 克広 北海道大学, 情報科学研究科, 准教授 (60519411)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| キーワード | 半導体ナノ構造 / 薄膜成長 / ナノワイヤ材料 / 半導体デバイス / ダイオード / トランジスタ |
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| 研究成果の概要 |
次世代エレクトロニクスの新しいスイッチ素子として、トンネルFET素子が注目されている。これは、従来のFETでは実現できない低消費電力性能を有しているためである。本研究では、トンネルFET素子研究について、新しいヘテロ接合によるトンネル接合の形成技術・欠陥制御技術の確立を基軸として、素子の高性能化技術の確立、回路応用へと展開を図る相補スイッチング構造を新しく提案・実証した。
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| 自由記述の分野 |
半導体結晶成長、半導体量子構造、半導体デバイス
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
トンネルFETは、あらゆるエレクトロニクスの消費電力を9割以上削減できる潜在性を有した次世代スイッチ素子である。本研究では、この素子の新しい構造・接合を代表者独自のナノ構造形成技術を基軸に提案し、接合界面の欠陥制御技術に着目することで、消費電力を9割以上削減へ向けた課題を解決する新しい素子構造の提案と基盤技術を確立し、高性能化を実証した。これにより、次世代エレクトロ二クスの消費電力を抜本的に削減する技術を提供する。
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