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磁気異方性の電界制御を利用した磁性メモリの磁化反転方式である、電界誘起磁化反転方式は、動作に寄与しないトンネル電流による発熱により、消費エネルギは必要エネルギの約1,000倍となっている。本研究では動作に作用しない電力を低減しCMOSと同程度のfJ/bitのレベルまで低減することを主な目的とした。絶縁膜及び磁性体、加えて動作電圧を設計することにより、CMOSと同程度で、かつ磁性メモリとして世界最小の動作時消費電力を達成した。加えて、CoFeB/MgO接合における各種磁性の電界制御について解明した。電界による磁性の制御を利用したナノメートルスケールの極微細磁性素子の特性を調べた。
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