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2016 年度 実績報告書

単一界面欠陥のチャージポンピング過程を用いた2電子スピン相関の室温観測

研究課題

研究課題/領域番号 16H06087
研究機関静岡大学

研究代表者

堀 匡寛  静岡大学, 電子工学研究所, 講師 (50643269)

研究期間 (年度) 2016-04-01 – 2020-03-31
キーワードチャージポンピング法 / EDMR法 / 電子スピン共鳴 / シリコン / MOSFET / 界面欠陥 / 量子準位
研究実績の概要

本研究の最終目標は、半導体の界面欠陥やドーパント原子が持つ局在準位を利用したスピン操作技術を確立し、CMOSテクノロジーに立脚した量子情報処理技術を創生することである。平成28年度は、測定系の感度向上とSOIデバイスの界面欠陥解析を目的として以下の2点を行った。
(1)チャージポンピングEDMR法の高感度化
MOS界面の欠陥解析手法であるチャージポンピング法と電気的に電子スピン共鳴を検出するElectrically detected magnetic resonance(EDMR)法とを組み合わせた「チャージポンピングEDMR法」を立ち上げ、この手法をシリコンMOSトランジスタに適用した。チャージポンピング過程で生じる過渡電流成分をローパスフィルタを用いて除去することで、高い感度(低雑音)でMOS界面のシリコンダングリングボンド(未結合手)の信号を検出することに成功した。また、サンプルホルダで生じる雑音を調査し、その改良にも着手した。
(2)SOIゲート付PINダイオードの界面欠陥の解析
電子の界面欠陥への捕獲、正孔との再結合といったチャージポンピングにおける素過程を実時間領域で観測できる実時間チャージポンピング法をSilicon-on-insulator(SOI)上に作製したゲート付PINダイオードに適用した。ゲートに与えるパルス電圧のパラメータを調整し、微小な出力電流を検出、解析することにより、界面欠陥に捕獲される電子の動的挙動を明らかにした。次年度以降は、本デバイスを用いて低温下におけるEDMR測定も予定しており、本研究成果は重要な知見となる。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

当初の目的であったチャージポンピングモードでのEDMR測定法を立ち上げ、シリコン/シリコン酸化膜界面におけるダングリングボンドの信号を高い感度で検出することに成功した。また、次年度以降に用いるSOIトランジスタの界面欠陥の解析にも着手することができた。

今後の研究の推進方策

EDMRの低温測定系を立ち上げ、継続してEDMR法の高感度化を目指す。また、界面欠陥に捕獲された二電子対の再結合過程を考慮した正確なチャージポンピング理論の構築に向けて、チャージポンピングの素過程の解析も進める。

  • 研究成果

    (20件)

すべて 2017 2016 その他

すべて 雑誌論文 (5件) (うち査読あり 5件、 謝辞記載あり 4件) 学会発表 (14件) (うち国際学会 7件、 招待講演 3件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] Single-electron quantization at room temperature in a few-donor quantum dot in silicon nano-transistors2017

    • 著者名/発表者名
      A. Samanta, M. Muruganathan, M. Hori, Y. Ono, H. Mizuta, M. Tabe, D. Moraru
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 110 ページ: 093107_1-5

    • DOI

      10.1063/1.4977836

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Improvement of charge-pumping electrically detected magnetic resonance and its application to silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistor2017

    • 著者名/発表者名
      M. Hori, T. Tsuchiya, Y. Ono
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 10 ページ: 015701_1-4

    • DOI

      10.7567/APEX.10.015701

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Time-domain charge pumping on silicon-on-insulator MOS devices2017

    • 著者名/発表者名
      T. Watanabe, M. Hori, T. Tsuchiya, A. Fujiwara, Y. Ono
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 56 ページ: 011303_1-5

    • DOI

      1347-4065/56/1/011303

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] EDMR on Recombination Process in Silicon MOSFET at Room Temperature2017

    • 著者名/発表者名
      M. Hori, Y. Ono
    • 雑誌名

      Springer Series Advances in Intelligent Systems and Computing, Recent Global Research and Education :Technological Challenges

      巻: 519 ページ: 89-93

    • DOI

      10.1007/978-3-319-46490-9_13

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Manipulation of Single Charges Using Dopant Atoms in Silicon - Interplay with Intervalley Phonon Emission2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, M. Hori, G. P. Lansbergen, A. Fujiwara
    • 雑誌名

      Springer Series Advances in Intelligent Systems and Computing, Recent Global Research and Education :Technological Challenges

      巻: 519 ページ: 137-141

    • DOI

      10.1007/978-3-319-46490-9_20

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [学会発表] シリコンにおけるチャージポンプー電荷とスピンの室温極限操作に向けてー2017

    • 著者名/発表者名
      小野 行徳、堀 匡寛、土屋 敏章
    • 学会等名
      第29回シリサイド系半導体研究会
    • 発表場所
      八洲学園大学、神奈川県横浜市
    • 年月日
      2017-03-17
    • 招待講演
  • [学会発表] Silicon-on-insulator MOS デバイスにおける実時間チャージポンピングの応用2017

    • 著者名/発表者名
      渡邉 時暢、堀 匡寛、土屋 敏章、藤原 聡、小野 行徳
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜、神奈川県横浜市
    • 年月日
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [学会発表] Study of Electron Localization Effects in Donor-Acceptor Pairs in Low-Dimensional Si Tunnel Diodes2017

    • 著者名/発表者名
      G. Prabhudesai, T. Anh, M. Shibuya, M. Manoharan, M. Hori, Y. Ono, H. Mizuta, M. Tabe, D. Moraru
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜、神奈川県横浜市
    • 年月日
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [学会発表] Study of Stability of A-few-donor Quantum Dots with Different Configurations for Room-Temperature Single-Electron Tunneling Operation2017

    • 著者名/発表者名
      T. Hasan, A. Samanta, A. Afiff, T. Anh, M. Manoharan, M. Hori, Y. Ono, H. Mizuta, M. Tabe, D. Moraru
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜、神奈川県横浜市
    • 年月日
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [学会発表] SOI MOS p-i-nダイオードの低温チャージポンピング2017

    • 著者名/発表者名
      渡邉 時暢、堀 匡寛、小野 行徳
    • 学会等名
      電子情報通信学会研究会
    • 発表場所
      北海道大学、北海道札幌市
    • 年月日
      2017-02-24
  • [学会発表] Charge pumping EDMR for MOS interface analysis2016

    • 著者名/発表者名
      M.Hori, Y.Ono
    • 学会等名
      The 18th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium
    • 発表場所
      Shizuoka University, Hamamatsu, JAPAN
    • 年月日
      2016-11-15 – 2016-11-16
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Silicon Single Boron Transistor2016

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono, M.Hori, A.Fujiwara
    • 学会等名
      The 3rd International Conference on Nano Electronics Research and Education (ICNERE2016)
    • 発表場所
      Malang, INDONESIA
    • 年月日
      2016-10-31 – 2016-11-02
    • 国際学会
  • [学会発表] EDMR on recombination process in Silicon MOSFETs at room Temperature2016

    • 著者名/発表者名
      M.Hori, Y.Ono
    • 学会等名
      15th International Conference on Global Research and Education (Inter-Academia 2016)
    • 発表場所
      Warsaw University, POLAND
    • 年月日
      2016-09-26 – 2016-09-28
    • 国際学会
  • [学会発表] Manipulation of Single Charges Using Dopant Atoms in Silicon-Interplay with Intervalley Phonon Emission2016

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono, M.Hori, G.P.Lansbergen, A.Fujiwara
    • 学会等名
      15th International Conference on Global Research and Education (Inter-Academia 2016)
    • 発表場所
      Warsaw University, POLAND
    • 年月日
      2016-09-26 – 2016-09-28
    • 国際学会
  • [学会発表] 高感度チャージポンピングEDMR法の開発2016

    • 著者名/発表者名
      堀 匡寛、成松 諒一、土屋 敏章、小野 行徳
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ、新潟県新潟市
    • 年月日
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [学会発表] Analysis of phonon assistance as a function of temperature in inter-band tunneling in 2D Si lateral Esaki diodes2016

    • 著者名/発表者名
      D.Moraru, M.Shibuya, R.Nuryadi, M.Hori, Y.Ono, M.Tabe
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ、新潟県新潟市
    • 年月日
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [学会発表] Time domain charge pumping on silicon-on-insulator MOS transistors2016

    • 著者名/発表者名
      T. Watanabe, M.Hori, Y.Ono
    • 学会等名
      2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2016)
    • 発表場所
      Hakodate Kokusai Hotel, Hakodate, JAPAN
    • 年月日
      2016-07-04 – 2016-07-06
    • 国際学会
  • [学会発表] Charge pumping EDMR towards charge/spin manipulation in silicon at room temperature2016

    • 著者名/発表者名
      M.Hori, R.Narimatsu, Y. Ono
    • 学会等名
      2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW2016)
    • 発表場所
      Hilton Hawaiian Village, Honolulu, USA
    • 年月日
      2016-06-12 – 2016-06-13
    • 国際学会
  • [学会発表] Novel application of the charge pumping process for charge and spin control2016

    • 著者名/発表者名
      M. Hori, Y. Ono
    • 学会等名
      EMN Meeting on Quantum 2016 (EMN2016)
    • 発表場所
      Holiday Inn Resort Phuket, Phuket, THAILAND
    • 年月日
      2016-04-08 – 2016-04-11
    • 国際学会 / 招待講演
  • [備考] 研究室ホームページ

    • URL

      https://wwp.shizuoka.ac.jp/nano/

URL: 

公開日: 2018-01-16  

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